[发明专利]放大器在审
申请号: | 201910849877.0 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN110890867A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | M·J·古德里 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H03F1/34 | 分类号: | H03F1/34;H03F3/45 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张丹 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 | ||
1.一种仪表放大器,包括第一级,被配置为基于差分输入生成放大的差分输出,所述第一级包括:
第一放大器,包括:
第一晶体管,其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述差分输入的第一输入,和
第一电流放大器,将所述第一晶体管的漏极耦合到所述差分输出的第一输出;
第二放大器,包括:
第二晶体管,其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述差分输入的第二输入,和
第二电流放大器,将所述第二晶体管的漏极耦合到所述差分输出的第二输出;和
电阻网络,包括:
第一反馈电阻器,将第一输出耦合到所述第一晶体管的源极;和
第二反馈电阻器,将第二输出耦合到所述第二晶体管的源极。
2.权利要求1所述的仪表放大器,其中所述电阻网络还包括:
连接电阻器,将所述第一晶体管的源极耦合到所述第二晶体管的源极。
3.权利要求1所述的仪表放大器,其中:
所述第一放大器还包括第一电压移位装置,被配置为将所述第一晶体管的体电压升高到所述第一晶体管的源极电压以上;和
所述第二放大器还包括第二电压移位装置,被配置为将所述第二晶体管的体电压升高到所述第二晶体管的源极电压以上。
4.权利要求3所述的仪表放大器,其中:
所述第一电压移位装置包括第一二极管,并且所述第二电压移位装置包括第二二极管。
5.权利要求1所述的仪表放大器,其中:
所述第一放大器还包括耦合在所述第一晶体管的漏极和所述第一电流放大器的输入之间的第一共源共栅器件,并且其中
所述第二放大器还包括耦合在所述第二晶体管的漏极和所述第二电流放大器的输入之间的第二共源共栅器件。
6.权利要求5所述的仪表放大器,其中所述第一共源共栅器件包括栅极耦合到所述第一输入的晶体管,并且其中所述第二共源共栅器件包括栅极耦合到所述第二输入的其他晶体管。
7.权利要求1所述的仪表放大器,其中所述第一晶体管是P型晶体管,并且所述第二晶体管是P型晶体管。
8.权利要求7所述的仪表放大器,其中允许输入电压的范围的下端低于所述仪表放大器第一级的最低电压。
9.权利要求1所述的仪表放大器,其中所述第一晶体管是N型晶体管,并且所述第二晶体管是N型晶体管。
10.权利要求9所述的仪表放大器,其中允许输入电压的范围的上端高于所述仪表放大器第一级的最高电压。
11.仪表放大器,包括:
差分输入;
差分输出;
第一放大器,包括:
第一晶体管,其中所述第一晶体管的栅极端子耦合到所述差分输入的第一输入,和
第一反馈电流放大器,将所述第一晶体管的漏极端子耦合到所述第一晶体管的源极端子和所述差分输出的第一输出;和
第二放大器,包括:
第二晶体管,其中所述第二晶体管的栅极端子耦合到所述差分输入的第二输入,和
第二电流反馈放大器,将所述第二晶体管的漏极端子耦合到所述第二晶体管的源极端子和所述差分输出的第二输出。
12.权利要求11所述的仪表放大器,还包括:
电阻网络,包括:
第一反馈电阻器,将所述第一电流反馈放大器的输出耦合到所述第一晶体管的源极端子;和
第二反馈电阻器,耦合所述第二电流反馈放大器的输出以输出到所述第二晶体管的源极端子。
13.权利要求12所述的仪表放大器,其中所述电阻网络还包括:
连接电阻器,将所述第一晶体管的源极端子耦合到所述第二晶体管的源极端子。
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