[发明专利]自旋随机存储器及方法

权利要求书

1.一种自旋随机存储器，其特征在于，包括：

多个存储分区；其中，每个存储分区包括：多个第一磁性隧道结和至少一个第二磁性隧道结；

写入电路，与所述第一磁性隧道结电连接；

温度控制电路，向所述第二磁性隧道结导入一设定电流，进而使所述第二磁性隧道结保持反平行态；

控制电路，所述控制电路根据第二磁性隧道结输出的电信号生成当前温度值，并根据所述当前温度值输出写入频率控制信号，以控制所述写入电路输入至所述第一磁性隧道结的电流的频率；

所述控制电路根据所述当前温度值输出写入频率控制信号，包括：

所述控制电路将所述当前温度值与设定温度值进行比对，若所述温度值高于所述设定温度值，则输出第一写入频率控制信号，以控制所述写入电路输出一频率高于当前频率的电流，反之若所述温度值低于所述设定温度值，则输出第二写入频率控制信号，以控制所述写入电路输出一频率低于当前频率的电流。

2.根据权利要求1所述的自旋随机存储器，其特征在于，所述第二磁性隧道结的数量为多个，多个所述第二磁性隧道结串联设置。

3.根据权利要求1所述的自旋随机存储器，其特征在于，所述控制电路根据所述当前温度值输出写入频率控制信号，包括：

所述控制电路根据预设的温度值与输出写入频率的对应关系，输出所述写入频率控制信号，以控制所述写入电路输出对应所述当前温度值的频率。

4.根据权利要求1所述的自旋随机存储器，其特征在于，所述写入电路包括与每个第一磁性隧道结一一对应的写入电路单元；每个所述写入电路单元包括：

两个P型晶体管、两个N型晶体管以及开关元件；

其中一个P型晶体管与其中一个N型晶体管串联连接在对应的第一磁性隧道结的一端，另外一个P型晶体管与另一个N型晶体管串联连接在开关元件的一端，所述开关元件的另一端与对应的第一磁性隧道结的另一端电连接。

5.一种利用如权利要求1所述的自旋随机存储器进行温度控制方法，其特征在于，包括：

向所述第二磁性隧道结导入一设定电流，进而使所述第二磁性隧道结保持反平行态；

根据第二磁性隧道结输出的电信号生成当前温度值；

根据所述当前温度值输出频率控制信号，以控制所述写入电路输入至所述第一磁性隧道结的电流的频率，进而调节对应存储分区的当前温度；

所述控制电路根据所述当前温度值输出写入频率控制信号，包括：

所述控制电路将所述当前温度值与设定温度值进行比对，若所述温度值高于所述设定温度值，则输出第一写入频率控制信号，以控制所述写入电路输出一频率高于当前频率的电流，反之若所述温度值低于所述设定温度值，则输出第二写入频率控制信号，以控制所述写入电路输出一频率低于当前频率的电流。

6.根据权利要求5所述的温度控制方法，其特征在于，所述根据所述当前温度值输出写入频率控制信号，包括：

将所述当前温度值与设定温度值进行比对，若所述温度值高于所述设定温度值，则输出第一写入频率控制信号，以控制所述写入电路输出一频率高于当前频率的电流，反之若所述温度值低于所述设定温度值，则输出第二写入频率控制信号，以控制所述写入电路输出一频率低于当前频率的电流。

7.根据权利要求5所述的温度控制方法，其特征在于，所述根据所述当前温度值输出写入频率控制信号，包括：

根据预设的温度值与输出写入频率的对应关系，输出所述写入频率控制信号，以控制所述写入电路输出对应所述当前温度值的频率。