[发明专利]一种硅材料除磷提纯添加剂以及提纯方法有效

专利信息
申请号: 201910850909.9 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN110467185B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 李京伟;陈健;班伯源;史剑;孙继飞;曹佰来 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 郑琍玉
地址: 230031 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 材料 提纯 添加剂 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种硅材料除磷提纯的方法,其特征在于,包括如下步骤:将2g硅粉与180g镓块置于氧化铝坩埚中,然后加入25g三氯化钒和55g氯化钙混合料,将坩埚置于电阻炉内,匀速升温至900℃,恒温2h,中间每隔30min用石英棒搅拌一次,待硅合金与造渣剂完全熔化均匀,然后以0.01℃/min冷却至室温;将凝固后的样品用金刚石切割机纵向剖开,将顶部的造渣剂与下部的硅合金相分离,然后将硅合金用盐酸溶液浸泡,溶解铝基体,得到大尺寸的硅片,采用过滤,水洗和干燥的方式,将硅片烘干。

2.一种硅材料除磷提纯的方法,其特征在于,包括如下步骤:将30g硅粉与70g铝块置于氧化铝坩埚中,然后加入1000g的TiCl4,将坩埚置于电阻炉内,匀速升温至600℃,恒温4h,中间每隔30min用石英棒搅拌一次,待硅合金与添加剂完全熔化均匀,然后以0.01℃/min冷却至室温;将凝固后的样品用金刚石切割机纵向剖开,将顶部的添加剂与下部的硅合金相分离,然后将硅合金用盐酸溶液浸泡,溶解铝基体,得到大尺寸的硅片,采用过滤,水洗和干燥的方式,将硅片烘干。

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