[发明专利]镧掺杂的三氧化钼及其制备方法、超级电容器电极和超级电容器有效

专利信息
申请号: 201910851067.9 申请日: 2020-01-13
公开(公告)号: CN111477460B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 高艳芳;石子君;李立军 申请(专利权)人: 内蒙古工业大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/46;C01G39/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 010051 内蒙古自治*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 氧化钼 及其 制备 方法 超级 电容器 电极
【权利要求书】:

1.一种超级电容器电极,其特征在于采用通过镧掺杂的三氧化钼得到的电极材料制备而成,在所述镧掺杂的三氧化钼中,镧相对于钼的含量为大于0mol%且不大于12mol%。

2.根据权利要求1所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧掺杂的三氧化钼的形状为微球状或纳米片。

3.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧相对于钼的含量为1mol%以上且不大于3mol%。

4.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧相对于钼的含量为大于3mol%且不大于6mol%。

5.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧相对于钼的含量为大于6mol%且不大于9mol%。

6.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧相对于钼的含量为大于9mol%且不大于12mol%。

7.一种超级电容器,其包括根据权利要求1-6任一项 所述的超级电容器电极。

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