[发明专利]镧掺杂的三氧化钼及其制备方法、超级电容器电极和超级电容器有效
| 申请号： | 201910851067.9 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111477460B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 高艳芳;石子君;李立军 | 申请（专利权）人： | 内蒙古工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/46;C01G39/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010051 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化钼 及其 制备 方法 超级 电容器 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种超级电容器电极，其特征在于采用通过镧掺杂的三氧化钼得到的电极材料制备而成，在所述镧掺杂的三氧化钼中，镧相对于钼的含量为大于0mol％且不大于12mol％。
2.根据权利要求1所述的超级电容器电极，其特征在于，所述镧掺杂的三氧化钼的形状为微球状或纳米片。
3.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极，其特征在于，所述镧相对于钼的含量为1mol％以上且不大于3mol％。
4.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极，其特征在于，所述镧相对于钼的含量为大于3mol％且不大于6mol％。
5.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极，其特征在于，所述镧相对于钼的含量为大于6mol％且不大于9mol％。
6.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极，其特征在于，所述镧相对于钼的含量为大于9mol％且不大于12mol％。
7.一种超级电容器，其包括根据权利要求1-6任一项 所述的超级电容器电极。
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