[发明专利]镧掺杂的三氧化钼及其制备方法、超级电容器电极和超级电容器有效
申请号: | 201910851067.9 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111477460B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 高艳芳;石子君;李立军 | 申请(专利权)人: | 内蒙古工业大学 |
主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/46;C01G39/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 010051 内蒙古自治*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 氧化钼 及其 制备 方法 超级 电容器 电极 | ||
1.一种超级电容器电极,其特征在于采用通过镧掺杂的三氧化钼得到的电极材料制备而成,在所述镧掺杂的三氧化钼中,镧相对于钼的含量为大于0mol%且不大于12mol%。
2.根据权利要求1所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧掺杂的三氧化钼的形状为微球状或纳米片。
3.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧相对于钼的含量为1mol%以上且不大于3mol%。
4.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧相对于钼的含量为大于3mol%且不大于6mol%。
5.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧相对于钼的含量为大于6mol%且不大于9mol%。
6.根据权利要求1或2所述的超级电容器电极,其特征在于,所述镧相对于钼的含量为大于9mol%且不大于12mol%。
7.一种超级电容器,其包括根据权利要求1-6任一项 所述的超级电容器电极。
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