[发明专利]半导体装置及其制造方法、基板及其制造方法和制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

第1工序，使设置在包含碳化硅的基体上的第1半导体层的堆垛层错扩展，所述第1半导体层包含碳化硅和第1元素，所述第1元素包含选自N、P以及As中的至少一种；

第2工序，在第1工序后使得扩展后的所述堆垛层错不缩小，在所述第1半导体层上形成包含碳化硅和所述第1元素且与所述堆垛层错所包含的沿着＜-1100＞方向的第1边相接的第2半导体层；以及

第3工序，在所述第2半导体层上形成包含碳化硅和第2元素的第3半导体层，所述第2元素包含选自B、Al以及Ga中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

所述第1工序包括对所述第1半导体层照射选自紫外线和电子射线中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

还包括在所述基体上形成所述第1半导体层的工序，

形成所述第1半导体层的所述工序在第1处理室中实施，

所述第1工序在所述第1处理室中实施，

所述第2工序在所述第1处理室中实施。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

还包括在所述基体上形成所述第1半导体层的工序，

形成所述第1半导体层的所述工序、所述第1工序以及所述第2工序不经过大气压状态而在减压状态下实施。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

所述第1半导体层外延生长在所述基体上，

所述第2工序包括使所述第2半导体层外延生长在所述第1半导体层上。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

第1工序，对设置在包含碳化硅的基体上的第1半导体层照射选自紫外线和电子射线中的至少一种，所述第1半导体层包含碳化硅和第1元素，所述第1元素包含选自N、P以及As中的至少一种；

第2工序，在第1工序后使得堆垛层错不缩小，在所述第1半导体层上形成包含碳化硅和所述第1元素且与所述堆垛层错所包含的沿着＜-1100＞方向的第1边相接的第2半导体层；以及

第3工序，在所述第2半导体层上形成包含碳化硅和第2元素的第3半导体层，所述第2元素包含选自B、Al以及Ga中的至少一种。

7.一种基板的制造方法，包括：

第1工序，对设置在包含碳化硅的基体上的第1半导体层照射选自紫外线和电子射线中的至少一种，所述第1半导体层包含碳化硅和第1元素，所述第1元素包含选自N、P以及As中的至少一种；和

第2工序，在第1工序后使得堆垛层错不缩小，在所述第1半导体层上形成包含碳化硅和所述第1元素且与所述堆垛层错所包含的沿着＜-1100＞方向的第1边相接的第2半导体层。

8.一种半导体装置，具备：

第1半导体层，其包含碳化硅和第1元素，所述第1元素包含选自N、P以及As中的至少一种；

第2半导体层，其包含碳化硅和所述第1元素；以及

第3半导体层，其包含碳化硅和第2元素，所述第2元素包含选自B、Al以及Ga中的至少一种，

所述第2半导体层位于所述第1半导体层与所述第3半导体层之间，

所述第1半导体层包含堆垛层错，

所述堆垛层错包含沿着＜-1100＞方向的第1边，

所述第1边与所述第2半导体层相接。

9.一种基板，具备：

基体，其包含碳化硅；

第1半导体层，其包含碳化硅和第1元素，所述第1元素包含选自N、P以及As中的至少一种；以及

第2半导体层，其包含碳化硅和所述第1元素，

所述第1半导体层位于所述基体与所述第2半导体层之间，

所述第1半导体层包含堆垛层错，

所述堆垛层错包含沿着＜-1100＞方向的第1边，

所述第1边与所述第2半导体层相接。