[发明专利]具有亥姆霍兹谐振腔的MEMS压电超声换能器有效
| 申请号： | 201910851197.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110681559B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;朱伟;吴志鹏;王磊;胡博豪;林炳辉;周禹 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 亥姆霍兹 谐振腔 mems 压电 超声 换能器 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS压电超声换能器，其特征在于，压电式超声换能器(11)形成在衬底层(1)上，该衬底层(1)内形成有亥姆霍兹谐振腔(16)，亥姆霍兹谐振腔(16)的谐振频率与压电式超声换能器(11)的谐振频率一致；亥姆霍兹谐振腔(16)包括高度大于压电式超声换能器(11)最大振幅的第一空腔(6)，第一空腔(6)的中部下沉形成的第二空腔(9)，和压电式超声换能器(11)上的通孔(7)；第一空腔(6)通过通孔(7)与外部连通。
2.根据权利要求1所述的MEMS压电超声换能器，其特征在于，压电式超声换能器(11)包括设置在衬底层(1)上以封住第一空腔(6)的压电叠层(12)或压电双晶片(10)，通孔(7)贯穿压电叠层(12)或压电双晶片(10)后与第一空腔(6)连通。
3.根据权利要求2所述的MEMS压电超声换能器，其特征在于，压电叠层(12)包括从上至下依次设置的上电极(5)、压电层(4)、下电极(3)和衬底。
4.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS压电超声换能器，其特征在于，第一空腔(6)为圆柱形、或立方体形、或长方体形。
5.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS压电超声换能器，其特征在于，第二空腔(9)为柱状。
6.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS压电超声换能器，其特征在于，通孔(7)为圆柱形、立方体形或长方体形。
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