[发明专利]CMOS图像传感器的像素结构在审
| 申请号： | 201910851201.5 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112563293A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
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| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 结构 | ||
1.一种CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，
所述图像传感器包括多个阵列排布的像素单元，至少两个相邻像素单元构成子像素单元矩阵，每个子像素单元矩阵共用一组读出电路，在所述子像素单元矩阵的横向一侧和纵向一侧均设置有读出电路的晶体管，所述晶体管包括源跟随晶体管、复位晶体管。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述源跟随晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧，所述复位晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，或者所述源跟随晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，所述复位晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧。
3.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述至少两个相邻像素单元及其读出电路构成组合像素单元，所述组合像素单元的最长边小于等于4微米。
4.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述读出电路的晶体管还包括行选择晶体管。
5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述源跟随晶体管和行选择晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧，所述复位晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，或者所述源跟随晶体管和行选择晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，所述复位晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧。
6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述读出电路的晶体管还包括双增益转换晶体管。
7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述源跟随晶体管和复位晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧，所述双增益转换晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，或者所述源跟随晶体管和复位晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，所述双增益转换晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧。
8.如权利要求6所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述源跟随晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧，所述复位晶体管和双增益转换晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，或者所述源跟随晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，所述复位晶体管和双增益转换晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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