[发明专利]具有亥姆霍兹谐振腔的MEMS超声定位传感器有效
| 申请号： | 201910851350.1 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110681560B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;朱伟;吴志鹏;王磊;胡博豪;林炳辉;周禹 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 亥姆霍兹 谐振腔 mems 超声 定位 传感器 | ||
1.一种MEMS超声定位传感器，其特征在于，包括：
上层衬底(3)；
亥姆霍兹谐振腔(2)，形成于上层衬底(3)内；
压电式超声发射单元(9)，包括位于上层衬底(3)上的压电叠层(8)或压电双晶片(16)，且压电叠层(8)、压电双晶片(16)上具有一个或多个与亥姆霍兹谐振腔(2)连通的通孔(7)；
超声接收单元(1)，位于亥姆霍兹谐振腔(2)底部；
其中，亥姆霍兹谐振腔(2)的谐振频率与压电式超声发射单元(9)的谐振频率相同，超声接收单元(1)的谐振频率大于或等于压电式超声发射单元(9)的谐振频率。
2.根据权利要求1所述的MEMS超声定位传感器，其特征在于，压电叠层(8)包括设置在上层衬底(3)上的第一下电极(4)，设置在第一下电极(4)上的第一压电层(5)，设置在第一压电层(5)上的第一上电极(6)。
3.根据权利要求1所述的MEMS超声定位传感器，其特征在于，超声接收单元(1)为压电式超声换能器或电容式超声换能器。
4.根据权利要求3所述的MEMS超声定位传感器，其特征在于，超声接收单元(1)为压电式超声换能器时，包括：第二压电层(12)，与上层衬底(3)的底部键合；第二上电极(13)，位于亥姆霍兹谐振腔(2)内，且设置在第二压电层(12)的上表面；第二下电极(11)，键合在第二压电层(12)的下表面；下层衬底(15)，键合在第二下电极(11)的下表面。
5.根据权利要求3所述的MEMS超声定位传感器，其特征在于，超声接收单元(1)为电容式超声换能器时，包括：下层衬底(15)，位于上层衬底(3)下方；下层衬底(15)上的SiO2层(14)；振膜(17)，键合在上层衬底(3)和下层衬底(15)之间；第二上电极(13)，位于亥姆霍兹谐振腔(2)内，且设置在振膜(17)上。
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