[发明专利]电解铜箔与储能装置的集电体有效
| 申请号： | 201910851402.5 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110894615B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈振榕;邱秋燕 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C25D1/02 | 分类号： | C25D1/02;C25D1/20;C22F1/02;C22F1/08;H01M4/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电解 铜箔 装置 集电体 | ||
1.一种电解铜箔，其特征在于，包括：
过渡层，所述过渡层具有(111)面的体积占比20％～40％、(200)面的体积占比20％～40％以及(220)面的体积占比20％～40％的等轴晶，且所述过渡层的厚度为0.2μm～1.5μm；以及
纳米双晶铜层，形成于所述过渡层上，所述纳米双晶铜层具有(111)面的体积占比大于85％的柱状晶，且所述纳米双晶铜层的厚度为3μm～30μm，
其中所述电解铜箔的常温抗拉强度大于50kg/mm2。
2.如权利要求1所述的电解铜箔，其中所述电解铜箔的0.5％延伸率的抗拉强度大于32kg/mm2。
3.如权利要求1所述的电解铜箔，其中所述电解铜箔的0.5％延伸率的屈服强度大于40kg/mm2。
4.如权利要求1所述的电解铜箔，其中所述电解铜箔的经350℃一小时热处理后的抗拉强度降幅在20％以内。
5.如权利要求1所述的电解铜箔，其中所述电解铜箔经350℃热处理一小时后，所述纳米双晶铜层中的所述(111)面的体积占比变化量低于5％。
6.如权利要求1所述的电解铜箔，其中所述柱状晶是由垂直于所述柱状晶的晶界的多个片状组织堆叠而成，且每个所述片状组织的长轴与短轴的长度比值为2～40。
7.如权利要求1所述的电解铜箔，其中所述电解铜箔的日本工业标准的表面粗糙度Rz小于2μm。
8.如权利要求1所述的电解铜箔，其中所述电解铜箔的导电度高于90％IACS。
9.一种储能装置的集电体，其特征在于，包含如权利要求1～8中任一所述的电解铜箔。
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