[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；

柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上；

焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及

焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上，

其中，所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料部分覆盖所述焊料种子图案的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料部分与所述柱状图案的边缘区域的顶表面物理接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料部分的最大宽度大于所述焊料种子图案的所述第一宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述柱状图案包括：

柱状种子图案，所述柱状种子图案设置在所述导电焊盘上；以及

导电图案，所述导电图案设置在所述柱状种子图案上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述柱状种子图案延伸到所述导电图案的侧壁上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：聚合物层，所述聚合物层设置在所述半导体衬底上，

其中，所述柱状图案的至少一部分被所述聚合物层包围。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述聚合物层包括环氧模制化合物。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述聚合物层的顶表面设置在比所述柱状图案的顶表面的水平高度低的水平高度处。

10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；

柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上；

焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及

焊料部分，所述焊料部分覆盖所述焊料种子图案的第一侧壁和所述柱状图案的边缘区域的顶表面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述焊料部分覆盖所述焊料种子图案的顶表面。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：保护层，所述保护层设置在所述半导体衬底上，其中，所述保护层具有暴露所述导电焊盘的焊盘开口。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述保护层包括多层，所述多层包括多个层，其中，所述多个层中的每个层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或原硅酸四乙酯。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：聚合物层，所述聚合物层设置在所述保护层上并包括暴露所述导电焊盘的开口，

其中，所述柱状图案的至少一部分被所述聚合物层包围。

16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述柱状图案包括：

导电图案；以及

柱状种子图案，所述柱状种子图案设置在所述导电图案的底表面和第二侧壁上。

17.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述柱状图案的上部的第三宽度大于所述柱状图案的下部的第四宽度。