[发明专利]自供电磁传感器芯片在审
| 申请号： | 201910851653.3 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110501659A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 刘明;胡忠强;关蒙萌;周子尧;吴金根 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06;H02N2/00 |
| 代理公司： | 44291 广东朗乾律师事务所 | 代理人： | 杨焕军<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场探测单元 能量收集单元 电场 外部磁场 闭环 传感器芯片 磁阻传感器 电磁传感器 供电 电池供电 转换 磁电 芯片 维护 | ||
1.自供电磁传感器芯片，其特征在于，包括：
磁场探测单元，所述磁场探测单元为磁阻传感器；
能量收集单元，所述能量收集单元用于将外部磁场转换为电场，为所述磁场探测单元供电。
2.如权利要求1所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述磁阻传感器为TMR传感器或AMR传感器或GMR传感器。
3.如权利要求1或2所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述能量收集单元由磁电复合材料制成。
4.如权利要求3所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述磁电复合材料为由铁磁材料和铁电材料复合构成的多铁异质结，所述能量收集单元包括铁磁层和铁电层。
5.如权利要求4所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述铁磁层和所述铁电层通过胶粘或外延的方式复合。
6.如权利要求4或5所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：能量收集单元包括依次设置的铁磁层、铁电层及铁磁层。
7.如权利要求4或5所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述铁磁层由磁致伸缩系数≥50ppm的材料制成。
8.如权利要求7所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述铁磁层由FeGaB或CoFeB或CoFe或其合金制成。
9.如权利要求4或5所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述铁电层由压电系数＞500的材料制成。
10.如权利要求9所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述铁电层由AlN或PMN-PT单晶或PZN-PT单晶或陶瓷制成。
11.如权利要求1所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：还包括整流电路和储能电路，所述能量收集单元的输出端与所述整流电路相连，所述整流电路的输出端与所述储能电路相连，所述储能电路的输出端与所述磁场探测单元相连。
12.如权利要求11所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述储能电路为电容。
13.如权利要求1或2或4或5或8或10或11或12所述的自供电磁传感器芯片，其特征在于：所述能量收集单元和所述磁场探测单元集成于一电路板上并设置于一芯片封装外壳内。
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