[发明专利]xMR传感器温度补偿电路和补偿方法

权利要求书

1.一种xMR传感器温度补偿电路，包括稳压芯片U1、电阻R1、R2，其特征在于，还包括至少一个肖特基二极管；肖特基二极管具有负温度系数；

稳压芯片U1的输入端用于接直流输入电压VIN，稳压芯片U1的输出端接R1一端并输出直流输出电压Vs，Vs作为xMR传感器芯片的供电电压；

电阻R1的另一端接稳压芯片U1的电压调节端；在稳压芯片U1的电压调节端与电阻R2一端之间至少接一个正向的肖特基二极管；电阻R2的另一端接地。

2.如权利要求1所述的xMR传感器温度补偿电路，其特征在于，

肖特基二极管的数量为1～3个。

3.如权利要求1所述的xMR传感器温度补偿电路，其特征在于，

肖特基二极管的数量为2个，稳压芯片U1的电压调节端接肖特基二极管D1的阳极，肖特基二极管D1的阴极接肖特基二极管D2的阳极，肖特基二极管D2的阴极接电阻R2的一端。

4.如权利要求1所述的xMR传感器温度补偿电路，其特征在于，

所述xMR传感器温度补偿电路根据温度变化实时改变xMR传感器芯片的供电电压实现温度补偿；

整体xMR传感器的灵敏度如公式(1)：

S(T)＝V_SS(T₀)(1+a(T-T₀)) (1)

其中，T为温度，T₀为参考温度，S(T)为整体xMR传感器灵敏度，S(T₀)为温度T₀时的灵敏度，Vs为xMR传感器芯片供电电压，a(a＜0)为xMR传感器灵敏度的温度变化系数；

xMR传感器芯片供电电压如公式(2)：

其中，V_REF为参考电压，即稳压芯片U1电压调节端的电压；R₁和R₂分别是电阻R1、R2的阻值；R_D是肖特基二极管的电阻之和。

5.一种xMR传感器温度补偿方法，适用于如权利要求1、2或3所述的xMR传感器温度补偿电路，其特征在于，

根据温度变化实时改变xMR传感器芯片的供电电压实现温度补偿；

整体xMR传感器的灵敏度如公式(1)：

S(T)＝V_SS(T₀)(1+a(T-T₀)) (1)

其中，T为温度，T₀为参考温度，S(T)为整体xMR传感器灵敏度，S(T₀)为温度T₀时的灵敏度，Vs为xMR传感器芯片供电电压，a(a＜0)为xMR传感器灵敏度的温度变化系数；

xMR传感器芯片供电电压如公式(2)：

其中，V_REF为参考电压，即稳压芯片U1电压调节端的电压；R₁和R₂分别是电阻R1、R2的阻值；R_D是肖特基二极管的电阻之和。