[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基板；

一第一导电型阱，设置于所述基板内；

一第二导电型埋层，设置于所述第一导电型阱内，且与所述基板距离一第一既定距离；

一第一第二导电型阱，设置于所述第一导电型阱内且位于所述第二导电型埋层之上，并连接至所述第二导电型埋层；

一第一第二导电型掺杂区，设置于所述第一第二导电型阱内；

一第二第二导电型阱，设置于所述第一导电型阱内以及所述第二导电型埋层的上方，并与所述第二导电型埋层距离一第二既定距离；以及

一第二第二导电型掺杂区，设置于所述第二第二导电型阱内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括：

一第一第一导电型掺杂区，设置于所述第一导电型阱内，且位于所述第一第二导电型阱以及所述第二第二导电型阱之间；

一第二第一导电型掺杂区，设置于所述第一导电型阱内，其中所述第一第一导电型掺杂区以及所述第二第一导电型掺杂区分别设置于所述第二第二导电型阱的两侧；以及

一第三第一导电型掺杂区，设置于所述第一导电型阱内，其中所述第一第一导电型掺杂区以及所述第三第一导电型掺杂区分别设置于所述第一第二导电型阱的两侧。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一第二导电型掺杂区以及所述第二第二导电型掺杂区连接至一第一电极，其中所述第一第一导电型掺杂区以及所述第三第一导电型掺杂区连接至一第二电极，其中所述第二第一导电型掺杂区连接至一第三电极。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为一第一导电型结场效应晶体管，其中所述第一电极为一栅极端，所述第二电极为一源极端，所述第三电极为一漏极端。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二第二导电型阱具有一有效长度，其中所述第二第二导电型阱至少一半所述有效长度与所述第二导电型埋层相重叠。

6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一第一导电型阱于所述基板内；

形成一第二导电型埋层于所述第一导电型阱内、位于所述第一导电型阱内，且与所述基板距离一第一既定距离；

形成一第一第二导电型阱于所述第一导电型阱内且位于所述第二导电型埋层之上，其中所述第一第二导电型阱连接至所述第二导电型埋层；

形成一第二第二导电型阱于所述第一导电型阱内且位于所述第二导电型埋层之上，其中所述第二第二导电型阱与所述第二导电型埋层距离一第二既定距离；

形成一第一第二导电型掺杂区于所述第一第二导电型阱内；以及

形成一第二第二导电型掺杂区于所述第二第二导电型阱内。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一第一第一导电型掺杂区于所述第一导电型阱内，且位于所述第一第二导电型阱以及所述第二第二导电型阱之间；

形成一第二第一导电型掺杂区于所述第一导电型阱内，其中所述第一第一导电型掺杂区以及所述第二第一导电型掺杂区分别位于所述第二第二导电型阱的两侧；以及

形成一第三第一导电型掺杂区于所述第一导电型阱内，其中第一第一导电型掺杂区以及所述第三第一导电型掺杂区分别设置于所述第一第二导电型阱的两侧。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，更包括：

将所述第一第二导电型掺杂区以及所述第二第二导电型掺杂区连接至一第一电极；

将所述第一第一导电型掺杂区以及所述第三第一导电型掺杂区连接至一第二电极；以及

将所述第二第一导电型掺杂区连接至一第三电极。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述半导体结构为一第一导电型结场效应晶体管，其中所述第一电极为一栅极端，所述第二电极为一源极端，所述第三电极为一漏极端。

10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二第二导电型阱具有一有效长度，其中所述第二第二导电型阱至少一半的所述有效长度与所述第二导电型埋层相重叠。