[发明专利]一种场氧化层及其形成方法

权利要求书

1.一种场氧化层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成氧化层；

在所述氧化层上硬掩模层和图形化的光刻胶层；

以图形化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模层，以形成图形化的硬掩模层，并清除所述光刻胶层；

以图形化的所述硬掩模层为掩模，通过干法刻蚀工艺刻蚀部分厚度的所述氧化层；

以图形化的所述硬掩模层为掩模，通过湿法刻蚀工艺刻蚀剩余部分厚度的所述氧化层，以形成场氧化层；以及

清除所述硬掩模层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述氧化层上硬掩模层和图形化的光刻胶层包括以下步骤：

利用低压化学气相沉积的方式在所述氧化层上形成硬掩模层；

通过涂覆、曝光、显影工艺图形化处理所述光刻胶层，以形成图形化的光刻胶层，其中，图形化的光刻胶层在后续形成的场氧化层上方以外的位置上形成开口。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度为200 Å~400 Å。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1000 Å~2000 Å。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，利用低压化学气相沉积的方式在半导体衬底上形成所述氧化层。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上还形成有垫底氧化层，所述垫底氧化层位于所述半导体衬底与所述氧化层之间。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述垫底氧化层的材料包括二氧化硅，其厚度为20 Å~200 Å。

8.一种场氧化层，其特征在于，由权利要求1-7中任一项所述的形成方法制备而成。