[发明专利]通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法

权利要求书

1.一种通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，其特征在于，包括步骤：

在有源区的下光限制层上面制作出光栅后，在光栅上面制作出选择性区域生长SAG的掩膜遮挡图形，该掩膜图形覆盖在有源区部分，且掩膜遮挡图形中间留有一缝隙，设置在有源区两侧的波导区无掩膜遮挡；

有源区和波导区的量子阱结构外延生长，生成的有源区量子阱的厚度比波导区的量子阱厚度大；

量子阱结构生长完成后去掉掩膜遮挡图形，继续外延生长半导体激光器芯片的其他层。

2.根据权利要求1所述的通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，其特征在于，具体通过电子束刻蚀EBL的方法在下光限制层上面制作光栅。

3.根据权利要求1所述的通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，其特征在于，具体通过光刻的方法制作选择性区域生长SAG的掩膜遮挡图形。

4.根据权利要求1所述的通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，其特征在于，有源区的量子阱层生长完成后，继续依次外延生长有源区的上限制层，InP间隔层，InGaAsP腐蚀停止层，存在一定p型掺杂浓度梯度的InP覆盖层以及InGaAs欧姆接触层。

5.根据权利要求1所述的通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，其特征在于，还包括步骤：

在激光器芯片MQW有源区和MQW波导区用湿法腐蚀的方法，在InP覆盖层腐蚀出脊波导的双沟， 利用光刻的方法将MQW波导层上方的InGaAs欧姆接触层暴露出来，用溶液湿法腐蚀去掉这部分的InGaAs欧姆接触层。

6.根据权利要求5所述的通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，其特征在于，还包括步骤：在MQW有源区的脊波导上面开出介质膜窗口形成限制电流的结构，然后做上金属电极，最后将整个外延片减薄做n面电极，解理后在两个端面上分别镀AR增透膜和HR高反膜。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，其特征在于，掩膜遮挡图形中间的缝隙宽度为10um-15um。