[发明专利]可调控的近红外超薄宽带完美吸收器及其制备方法

权利要求书

1.一种可调控的近红外超薄宽带完美吸收器，其特征在于，所述吸收器包括衬底、位于衬底上的背反射层、位于背反射层上的介质层，以及位于介质层上的二氧化钒层；所述吸收器的膜层总厚度小于工作波长的四分之一。

2.根据权利要求1所述的近红外超薄宽带完美吸收器，其特征在于，在无在外场激励下，吸收器在1.6～2.4μm处的平均吸收率高达95%，1.2～1.5μm处的平均吸收率为74%；在外场激励作用下，吸收器的吸收强度分布波长有所调整，在1.2～1.5μm处的平均吸收率≥90%，在1.6～2.4μm处平均吸收率为78%。

3.根据权利要求1或2所述的近红外超薄宽带完美吸收器，其特征在于，所述介质层厚度为50～80 nm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的近红外超薄宽带完美吸收器，其特征在于，所述二氧化钒层厚度为30～50nm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的近红外超薄宽带完美吸收器，其特征在于，所述衬底材料包括熔融石英、蓝宝石和单晶硅中至少一种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的近红外超薄宽带完美吸收器，其特征在于，所述背反射层材料包括贵金属、AZO、ITO中至少一种，所述背反射层厚度100～500 nm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的近红外超薄宽带完美吸收器，其特征在于，所述介质层材料包括Al₂O₃、SiO₂中至少一种。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的近红外超薄宽带完美吸收器，其特征在于，所述二氧化钒层采用真空蒸发镀膜、溅射镀膜、或溶胶-凝胶镀膜的方法获得。

9.一种权利要求1～8中任一项所述的近红外超薄宽带完美吸收器的调控方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）通过外场改变二氧化钒层使其处于绝缘相来提高吸收器的吸收率；

（2）通过外场改变二氧化钒层使其处于金属相来调控吸收器的吸收率及带宽。