[发明专利]一种trim表数据保存、恢复方法、装置及相关设备

说明书

本发明公开了一种trim表数据保存方法，在固态硬盘在DDR中运行过程中，将trim表当前的改变信息添加到改变量数据中，如果当前的改变信息的改变长度大于预设长度阈值，则基于当前的改变量数据，生成单位保存数据，并将单位保存数据写入flash中，在固态硬盘运行过程中，进行trim表的保存，可以保证DDR掉电时能够顺利将trim表数据从DDR存储到flash中。本发明还公开了一种trim表数据恢复方法，对于不同类型区间进行相应恢复处理，减少了固态硬盘上电元数据恢复时间，提高了固态硬盘性能。本发明还公开了一种trim表数据保存、恢复装置及相关设备，具有相应技术效果。

技术领域

本发明涉及计算机应用技术领域，特别是涉及一种trim表数据保存、恢复方法、装置及相关设备。

背景技术

随着计算机技术的快速发展，固态硬盘的使用逐渐增多。固态硬盘，即SolidState Drive，也可称为固态驱动器。固态硬盘中存在多种元数据，trim表就是其中的一种。在固态硬盘正常运行时，trim表存在于DDR(DDR SDRAM，Double Data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器)中，DDR掉电时数据会丢失，所以，掉电后会将trim表从DDR存储到flash(闪存，掉电时数据不会丢失)中，上电时再将其恢复到DDR中。

但是，因为trim表数据量较大，在掉电20ms内无法全部保存完，容易导致数据丢失。而且，恢复速度慢。

发明内容

本发明的目的是提供一种trim表数据保存、恢复方法、装置及相关设备，以进行trim表数据的有效保存，提高恢复速度。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种trim表数据保存方法，包括：

在固态硬盘在双倍速率同步动态随机存储器DDR中运行过程中，将trim表当前的改变信息添加到改变量数据中，所述改变信息包括起始逻辑区块地址和改变长度；

如果当前的所述改变信息的改变长度大于预设长度阈值，则基于当前的所述改变量数据，生成单位保存数据，所述单位保存数据由生成的头数据、当前的所述改变量数据和提取到的trim表的基础数据构成；

将所述单位保存数据写入闪存flash中。

在本发明的一种具体实施方式中，还包括：

如果当前的所述改变信息的改变长度不大于所述长度阈值，则在有新的改变信息时，重复执行所述将trim表当前的改变信息添加到改变量数据中的步骤，直至所述改变量数据中添加的改变信息个数达到设定个数阈值时，重复执行所述基于当前的所述改变量数据，生成单位保存数据的步骤。

一种trim表数据恢复方法，包括：

按保存先后顺序读取闪存flash中的每个单位保存数据，针对每个单位保存数据，均执行以下操作：

将该单位保存数据中的基础数据搬移到双倍速率同步动态随机存储器DDR的trim表的相应位置；

按保存先后顺序读取该单位保存数据的改变量数据中添加的改变信息，并针对每个改变信息，均执行以下操作：

根据该改变信息，确定地址区间；

根据所述地址区间的类型，使用相应的恢复方式进行恢复。

在本发明的一种具体实施方式中，所述地址区间包括头区间、中间区间和尾区间，所述根据该改变信息，确定地址区间，包括：

根据该改变信息，确定内存对齐点；

将该改变信息的起始逻辑区块地址至第一个内存对齐点的区间确定为头区间；

将第一个内存对齐点至最后一个内存对齐点对应的区间确定为中间区间；