[发明专利]一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构，其特征在于，包括散热板(1)，散热板(1)上设置有若干方形区块单元(2)，相邻的方形区块单元(2)之间布置有补液通道(3)，每个方形区块单元(2)由若干圈方形微柱组成，同一个方形区块单元(2)内的方形微柱的截面尺寸相同，高度不同，使每个方形区块单元(2)内形成中间高、四周低的梯度分布。

2.根据权利要求1所述的一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构，其特征在于，所述方形区块单元(2)呈方形阵列分布在散热板(1)上，且相邻的方形区块单元(2)之间的间距相等，所述方形阵列填充满散热板(1)。

3.根据权利要求1所述的一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构，其特征在于，散热板(1)的长度和宽度都为L，L＝10mm。

4.根据权利要求3所述的一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构，其特征在于，每个方形区块单元(2)的长度a等于宽度b，且相邻的方形区块单元(2)之间的距离D为0.1L。

5.根据权利要求1所述的一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构，其特征在于，所述方形区块单元(2)中的方形微柱的截面长度和宽度都为d，d＝100μm-400μm。

6.根据权利要求5所述的一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构，其特征在于，所述方形区块单元(2)内的相邻两个方形微柱之间距离为d。

7.根据权利要求5所述的一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构，其特征在于，每个方形区块单元(1)内的方形微柱由外到内在高度方向上呈阶梯分布，方形微柱的最低高度h₁为60μm，相邻圈层的方形微柱高度差相等，均为0.25d。

8.一种权利要求1所述的垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：根据不同方形微柱的高度制作若干对应不同高度及形状的光刻工艺掩膜图形；

步骤二：将硅芯片经过添加光致抗蚀剂涂层、曝光、干腐蚀以及去除抗蚀剂涂层过程后，将步骤一得到的掩膜图形准确的转移到硅芯片上，通过控制干腐蚀过程的时间，将硅片表面刻蚀出高度相同的方形微柱，所述高度取高度最大值；

步骤三：替换不同高度微结构对应的掩膜图形，加工出不同高度的方形微柱，最终形成在垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构。