[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201910855056.8 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN111029359A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 刘敏钻;李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,其特征在于,包括:
一基板;
一驱动电路,设置于该基板上,且该驱动电路是用以驱动多个显示单元;
多个感测单元,设置于该驱动电路上,且该多个感测单元包括一第一半导体层;以及
一感测电路,用以驱动该多个感测单元,且该感测电路包括一第二半导体层;
其中该第一半导体层的一厚度大于该第二半导体层的一厚度。
2.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,该第一半导体层的材料包括非晶半导体材料。
3.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,该第一半导体层的该厚度介于至20000埃之间。
4.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,该第二半导体层的该厚度介于至3000埃之间。
5.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,该驱动电路包括一半导体层,且该第一半导体层的该厚度与该驱动电路中的该半导体层的该厚度的比值介于1.5至40之间。
6.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,该驱动电路包括:
一驱动薄膜晶体管,电性连接至该多个显示单元中的一个;以及
一切换薄膜晶体管,电性连接至该驱动薄膜晶体管。
7.如权利要求6所述的显示设备,其特征在于,该驱动薄膜晶体管包括一多晶硅半导体层。
8.一种显示设备,其特征在于,包括:
一基板;
一驱动电路,设置于该基板上,且该驱动电路是用以驱动多个显示单元,其中该驱动电路包括至少一驱动薄膜晶体管,且该至少一驱动薄膜晶体管电性连接至该多个显示单元中的至少一个;
多个感测单元,设置于该驱动电路上;以及
一感测电路,用以驱动该多个感测单元,其中该感测电路包括至少一感测薄膜晶体管,且该至少一感测薄膜晶体管电性连接至该多个感测单元中的至少一个;
其中该至少一感测薄膜晶体管的一半导体通道层的材料不同于该至少一驱动薄膜晶体管的一半导体通道层的材料。
9.如权利要求8所述的显示设备,其特征在于,该驱动电路更包括至少一切换薄膜晶体管,该至少一切换薄膜晶体管电性连接至该至少一驱动薄膜晶体管,且该至少一切换薄膜晶体管的一半导体通道层的材料不同于该至少一驱动薄膜晶体管的该半导体通道层的该材料。
10.如权利要求9所述的显示设备,其特征在于,该至少一切换薄膜晶体管的该半导体通道层的该材料与该至少一感测薄膜晶体管的该半导体通道层的该材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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