[发明专利]电子设备及其钢化加强膜和制备方法及应用

权利要求书

1.一钢化加强膜，其特征在于，其以碳氢气体C_xH_y作为沉积反应气体原料，通过PECVD工艺在一基体的表面沉积形成。

2.根据权利要求1所述的钢化加强膜，其中x为1-10的整数，y为1-20的整数。

3.根据权利要求1所述的钢化加强膜，其中所述碳氢气体C_xH_y选自常压下为气态的甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、乙炔、丙烯、丙炔中的其中一种或多种。

4.根据权利要求1所述的钢化加强膜，其中所述碳氢气体C_xH_y选自经过减压或者加热蒸发形成的苯蒸气、甲苯蒸气中的其中一种或多种。

5.根据权利要求1-4任一所述的钢化加强膜，其中在进行PECVD工艺时，加入一等离子体源气体，以激活所述反应气体原料的沉积反应。

6.根据权利要求5所述的钢化加强膜，其中所述等离子体源气体选自惰性气体、氮气、氟碳气体中的其中一种或多种。

7.根据权利要求1-4任一所述的钢化加强膜，其中在进行PECVD工艺时，加入一辅助气体，与所述反应气体原料共同沉积反应，其中所述辅助气体是氢气，以调节所述钢化加强膜中的C-H键含量。

8.根据权利要求7所述的钢化加强膜，其中所述氢气的含量≤40％。

9.根据权利要求1-4任一所述的钢化加强膜，其中在进行PECVD工艺时，射频和高压脉冲共同作用沉积形成所述钢化加强膜。

10.根据权利要求9所述的钢化加强膜，其中所述射频功率范围为10～800W，高压脉冲电源电压-100V～-5000V，脉冲占空比10％～80％。

11.根据权利要求1-4任一所述的钢化加强膜，其中所述基体是一电子设备屏。

12.根据权利要求11所述的钢化加强膜，其中所述电子设备选自于智能手机、平板电脑、电子阅读器、可穿戴设备、电视机、电脑显示屏中的一种。

13.一钢化加强膜制备方法，其特征在于，以碳氢气体C_xH_y作为沉积反应气体原料，通过一PECVD装置在一基体表面进行等离子体增强化学气相沉形成。

14.根据权利要求13所述的钢化加强膜制备方法，其中在进行PECVD工艺时，加入一等离子体源气体，以激活所述反应气体原料的沉积反应。

15.根据权利要求14所述的钢化加强膜制备方法，其中所述等离子体源气体选自惰性气体、氮气、氟碳气体中的其中一种或多种。

16.根据权利要求14所述的钢化加强膜制备方法，其中包括步骤：打开所述PECVD装置的一高压脉冲电源，所述等离体子源气体在高压脉冲电场的作用下清洁所述基体表面，并且蚀刻和活化。

17.根据权利要求16所述的钢化加强膜制备方法，其中高压脉冲电源电压-100V～-5000V、占空比1％～90％。

18.根据权利要求13所述的钢化加强膜制备方法，其中在进行PECVD工艺时，加入一辅助气体，与所述反应气体原料共同沉积反应，其中所述辅助气体是氢气，以调节所述钢化加强膜中的C-H键含量。

19.根据权利要求18所述的钢化加强膜制备方法，其中所述氢气的含量≤40％。