[发明专利]电子设备外盖增强纳米膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一增强纳米膜，其特征在于，包括：C、H和一掺杂元素，其以碳氢气体C_xH_y和至少一掺杂气体作为反应气体原料，通过PECVD工艺在一基体的表面沉积形成，其中所述掺杂气体提供所述掺杂元素。

2.根据权利要求1所述的增强纳米膜，其中碳氢气体C_xH_y是碳原子数为1-6的烷烃、烯烃、炔烃或者苯中的其中一种或多种。

3.根据权利要求1所述的增强纳米膜，其中所述掺杂元素选自Si、N、F、B中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的增强纳米膜，其中掺杂Si元素的所述掺杂气体原料可以是含硅有机化合物，包括有机直链硅氧烷、环硅氧烷、烷氧基硅烷、含不饱和碳碳双键硅氧烷。

5.根据权利要求3所述的增强纳米膜，其中掺杂N元素的所述掺杂气体原料是N₂、含氮碳氢化合物。

6.根据权利要求3所述的增强纳米膜，其中掺杂F元素的所述掺杂气体原料是氟碳气体。

7.根据权利要求6所述的增强纳米膜，其中氟碳气体选自四氟化碳、八氟丙烯、八氟环丁烷中的一种或多种。

8.根据权利要求3所述的增强纳米膜，其中掺杂的B元素的所述掺杂气体原料是常压下沸点低于300℃的硼烷。

9.根据权利要求3所述的增强纳米膜，其中硼烷选自戊硼烷、己硼烷中的一种或多种。

10.根据权利要求1-9任一所述的增强纳米膜，其中在进行PECVD工艺时，加入一等离子体源气体，以激活所述反应气体原料的沉积反应。

11.根据权利要求10所述的增强纳米膜，其中所述等离子体源气体选自惰性气体、氮气、氟碳气体中的其中一种或多种。

12.根据权利要求1-9任一所述的增强纳米膜，其中在进行PECVD工艺时，加入一辅助气体，与所述反应气体原料共同沉积反应，其中所述辅助气体是氢气，以调节所述增强纳米膜中的C-H键含量。

13.根据权利要求12所述的增强纳米膜，其中所述氢气的含量≤40％。

14.根据权利要求1-9任一所述的增强纳米膜，其中在进行PECVD工艺时，射频和高压脉冲共同作用沉积形成所述增强纳米膜。

15.根据权利要求14所述的增强纳米膜，其中所述射频功率范围为10～800W，脉冲电源电压-100V～-5000V，脉冲占空比10％～80％。

16.根据权利要求1-9任一所述的增强纳米膜，其中所述基体是一电子设备外盖。

17.根据权利要求16所述的增强纳米膜，其中所述电子设备选自于智能手机、平板电脑、电子阅读器、可穿戴设备、电视机、电脑显示屏中的一种。

18.一增强纳米膜的制备方法，其特征在于，以碳氢气体C_xH_y和至少一掺杂气体作为反应气体原料，通过PECVD装置在一基体的表面沉积形成，其中所述掺杂气体提供至少一掺杂元素。

19.根据权利要求18所述的增强纳米膜的制备方法，其中包括步骤：向所述PECVD装置通入一等离子体源气体，以激活所述反应气体原料的沉积反应。