[发明专利]一种利用磁隧道结瞬时测量温度的装置及方法

说明书

一种利用磁隧道结瞬时测量温度的装置及方法，包括以下步骤：利用电阻加热平台，测量磁隧道结磁电阻随着温度的变化曲线，计算得到温度电阻系数；通过高频采样示波器，测量磁电阻在激光脉冲下的磁电阻信号，利用测得的温度电阻系数，将电阻信号转化为温度变化信号。本发明所采样的测量装置与方法具有皮秒量级的时间分辨率，同时测温范围广，测量准确度高，响应时间快，抗干扰性能好，操作简单，同时磁隧道结非常小，适合将磁隧道结制作成具有高空间分辨率的温度传感器，应用广泛。

技术领域

本发明涉及一种利用磁隧道结测量快速准确测量瞬时温度的测量方法，属于温度传感技术领域。

背景技术

近年来，温度传感器发展迅速，市场快速上升，几乎占了整个传感器总需求量的40%，尤其是汽车电子、消费电子和加工工业的迅猛增长带来了温度传感器需求的大幅增加，如根据MarketsandMarkets公司的分析和预测，温度传感器市场在2014年至2020年间将以5.11%的复合年均增长率增加，并且在2020年其总量将达到60.5亿美元。目前我国温度传感器只有中低档产品基本满足市场需求，产品品种满足率在60%-70%左右。但从行业产品结构看，老产品比例占60%以上，新产品明显不足，高新技术类产品更少；同时数字化、智能化、微型化产品严重欠缺。

随着电子器件的快速小型化，热耗散与热传导变得愈加重要，正成为电子器件的进一步小型化的限制因素以及基础研究领域的关键因素，自旋热点学的兴起，需要对纳米薄膜的温度以及周边环境温度的需要准确掌握，所要求的测量方法的更加准确、快速、并且有更高的空间分辨率。研究表明，基于Julliere的自旋极化直接弹性隧穿模型(spin-polarized direct elastic tunneling model), 磁隧道结的电导G=1/R随着温度T的变化存在以下关系：

其中+与-分别表示低电阻态（P）与高电阻态（AP），G₀(T)=G₀CT/sin(CT)是直接弹性隧穿的前置系数，G₀是T=0 K时的电导率，C是常数，P(T)是MTJ中磁性薄膜的自旋极化率。随着MTJ制备技术不断提高，具有高质量薄膜和高TMR的MTJ的电导在AP态时，它的电导率是随着温度变化的，特别是在室温附近，基本呈线性，但在P态下，电导率基本不随温度变化。由于MTJ磁电阻主要是由自由层、绝缘层与参考层决定，对于具有高TMR的MTJ,它的磁电阻随着温度的变化关系，主要由这三层决定。这个变化规律为直接测量MTJ中纳米磁性层的温度变化提供了依据。因此本发明对国内高端传感器的发展有着帮助作用，同时，能够推动自旋热电子学等基础研究的发展。。

发明内容

本发明的目的提供一种利用磁隧道结快速准确测量温度的测量方法。

本发明的测量装置及示意图如图1所示：

皮秒级瞬时温度的测量步骤如下：

一、选取合适的磁隧道结（MTJ），其结构主要包括：以氧化镁或者氧化铝为绝缘层，CoFeB为磁性自由层和参考层，以CoFe为反铁磁层，以及保护层和连接层；以Ru, Ta, Cu等的一层或多层作为保护层；以Cu, Ta, CuN等的一层或多层作为连接层；磁隧道结的隧穿磁电阻（TMR）大于等于100%；