[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910856976.1 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110767722B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 面板 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
基底;
设置于所述基底上呈阵列分布的多个子像素,每一所述子像素包括发光单元和像素驱动电路,所述发光单元设置于所述子像素的发光区,所述像素驱动电路设置于所述子像素的有源区;
设置于所述基底上的光敏检测单元,所述光敏检测单元在所述基底上的正投影与至少两个相邻所述子像素的有源区在所述基底上的正投影至少部分重叠,且所述光敏检测单元在所述基底上的正投影与所述发光区在所述基底上的正投影部分重叠;
所述光敏检测单元包括PIN型光电二极管,所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影与至少两个相邻所述子像素的有源区在所述基底上的正投影完全重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:
检测线、第一扫描信号线以及参考电压线;
所述光敏检测单元包括检测开关晶体管以及检测电容,所述PIN型光电二极管包括PIN底电极、PIN顶电极以及两者之间的PIN本体,所述PIN本体包括P型掺杂半导体层、N型掺杂半导体层以及两者之间的本征半导体层,所述检测电容包括第一极板和第二极板,所述检测开关晶体管的栅极与所述第一扫描信号线连接,所述检测开关晶体管的第一极与所述检测线连接,所述检测开关晶体管的第二极与所述PIN底电极以及所述检测电容的第一极板连接,所述PIN顶电极与所述参考电压线以及所述检测电容的第二极板连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述像素驱动电路包括存储电容,所述第一扫描信号线和所述参考电压线在所述基底上的正投影与所述存储电容在所述基底上的正投影部分重叠。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
所述检测开关晶体管以及所述检测电容中的至少之一设置于所述有源区。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:
设于所述发光区的色阻图形。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,具体包括:
基底;
设置于所述基底上的晶体管的有源层,所述晶体管包括所述像素驱动电路的晶体管和所述光敏检测单元的检测开关晶体管;
设置于所述有源层上的晶体管的栅绝缘层和栅极,以及,与所述栅极同层的参考电压线;
设置于所述栅极上的层间绝缘层;
设置于所述层间绝缘层上的所述检测开关晶体管的第一极图形和第二极图形;
依次设置于所述检测开关晶体管的第一极图形和第二极图形上的第一有机绝缘介质层和第一平坦化层;
依次设置于所述第一平坦化层上的PIN底电极、N型掺杂半导体层、本征半导体层、P型掺杂半导体层,所述PIN底电极通过贯穿所述第一平坦化层以及所述第一有机绝缘介质层的第一过孔与所述检测开关晶体管的第二极连接;
设置于所述P型掺杂半导体层上的第二有机绝缘介质层以及PIN顶电极,所述PIN顶电极通过贯穿所述第二有机绝缘介质层、所述第一平坦化层、所述第一有机绝缘介质层以及所述层间绝缘层的第二过孔与所述参考电压线连接;
依次设置于所述PIN顶电极上的第二平坦化层以及发光单元。
7.一种如权利要求1-6中任一项所述的显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基底;
在所述基底上形成呈阵列分布的多个子像素和光敏检测单元;
每一所述子像素包括发光单元和像素驱动电路,所述发光单元设置于所述子像素的发光区,所述像素驱动电路设置于所述子像素的有源区;
所述光敏检测单元在所述基底上的正投影与至少两个相邻所述子像素的有源区在所述基底上的正投影至少部分重叠,且所述光敏检测单元在所述基底上的正投影与发光区部分重叠;
所述光敏检测单元包括PIN型光电二极管,所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影与至少两个相邻所述子像素的有源区在所述基底上的正投影完全重叠。
8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-6中任一项所述的显示基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的