[发明专利]用于集成自测试振荡器与注入锁定缓冲器的装置和方法有效
申请号: | 201910857036.4 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN111048504B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | A·巴拉苏布拉曼尼亚;A·贝拉沃尔 | 申请(专利权)人: | 格芯美国公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06;H04B1/16 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;杨晓光 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成 测试 振荡器 注入 锁定 缓冲器 装置 方法 | ||
1.一种装置,包括:
注入锁定缓冲器,其包括:
一对信号注入晶体管,每个信号注入晶体管具有耦合到差分参考信号的栅极端子,以及
一对交叉耦合的放大器晶体管,其被配置为放大所述差分参考信号的电压,以在混频器的本地振荡器(LO)输入端口处产生电压放大的参考信号;
电子振荡器,其与所述注入锁定缓冲器并联并具有耦合到所述混频器的LO端口的振荡输出节点,并且被配置为基于施加到所述电子振荡器的背栅偏置电压而产生用于传输到所述输出节点的振荡器输出;以及
存取晶体管,其具有耦合到开关节点的栅极,以及耦合到所述背栅偏置电压的背栅端子,其中所述存取晶体管被配置为允许或禁止电流流过与所述注入锁定缓冲器并联的所述电子振荡器。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述存取晶体管包括全耗尽绝缘体上半导体(FDSOI)晶体管,且其中所述背栅偏置电压被施加到所述FDSOI晶体管的所述背栅端子。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述电子振荡器包括一对交叉耦合的全耗尽绝缘体上半导体(FDSOI)晶体管,并且其中所述背栅偏置电压被施加到所述一对交叉耦合的FDSOI晶体管的每个背栅端子。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述混频器的所述LO端口包括到接收器混频器的第一输入线,所述接收器混频器具有耦合到雷达输入的第二输入线,以及耦合到信号处理电路的输出线,其中所述接收器混频器被配置为将电压放大的参考信号与所述雷达输入进行混合。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述接收器混频器包括无源混频器。
6.根据权利要求1所述的装置,进一步包括电源,所述电源被耦合到所述混频器的所述LO端口的中心抽头,其中所述电源包括用于所述注入锁定缓冲器和所述电子振荡器的单个电源。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述注入锁定缓冲器和所述电子振荡器分别被包括在集成电路(IC)芯片的单个器件单元中。
8.一种用于操作和测试电子电路中的接收器的方法,所述方法包括:
提供一种结构,所述结构包括:
注入锁定缓冲器,其包括:
一对信号注入晶体管,每个信号注入晶体管具有栅极端子,以及
一对交叉耦合的放大器晶体管,其被耦合在所述一对信号注入晶体管和混频器的本地振荡器(LO)端口之间,
电子振荡器,其与所述注入锁定缓冲器并联并具有耦合到所述混频器的所述LO端口的振荡输出节点,并且被配置为基于施加到所述电子振荡器的背栅偏置电压而产生用于传输到所述输出节点的振荡器输出;以及
存取晶体管,其具有耦合到开关节点的栅极,以及耦合到所述背栅偏置电压的背栅端子,其中所述存取晶体管被配置为允许或禁止电流流过与所述注入锁定缓冲器并联的所述电子振荡器;
将差分参考信号传输到所述一对信号注入晶体管的所述栅极端子以使所述差分参考信号的电压从初始电压放大,从而产生电压放大的参考信号,其中在所述传输期间禁止电流流过所述存取晶体管;
结束所述差分参考信号的传输;以及
在结束所述差分参考信号的传输之后,允许电流流过所述电子振荡器以绕开所述注入锁定缓冲器,其中所述电子振荡器产生将通过所述混频器的所述LO端口输出的测试信号。
9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:
在所述电子振荡器产生所述测试信号之后,禁止电流流过所述电子振荡器;以及
在禁止电流流过所述电子振荡器之后,重新开始所述差分参考信号的传输。
10.根据权利要求9所述的方法,其中禁止电流流过所述电子振荡器包括向所述电子振荡器的一对交叉耦合的晶体管的每个背栅端子施加所述背栅偏置电压,以及将所述测试信号传输到所述电子振荡器的所述一对交叉耦合的晶体管的每个栅极端子。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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