[发明专利]一种不同规格尺寸凸点的制备方法在审
| 申请号： | 201910857235.5 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110600387A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王成迁;明雪飞;吉勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凸点 制备 负性光刻胶 正性光刻胶 开口 金属焊盘 圆片级 电镀 锡帽 旋涂 集成电路封装 芯片 表面电镀 生长过程 封装体 回流炉 上开口 种子层 重布线 生长 划片 喷涂 圆片 重复 | ||
1.一种不同规格尺寸凸点的制备方法，其特征在于，包括：
提供形成有金属焊盘的芯片，在金属焊盘上进行n层重布线；
旋涂负性光刻胶并根据凸点直径大小在所述负性光刻胶上开口；
在开口中电镀制备高度最小的凸点；
喷涂或旋涂正性光刻胶，将未达到高度要求的凸点部分开口，在开口中电镀制备高度次小的凸点；重复该步骤直至所有凸点制备而成；
去掉正性光刻胶，在凸点表面电镀形成锡帽；
去掉所述负性光刻胶，并将种子层湿刻掉；
置于回流炉中，形成弧形锡帽；
对圆片划片形成凸点高度不一的封装体。
2.如权利要求1所述的不同规格尺寸凸点的制备方法，其特征在于，在金属焊盘上进行n层重布线的过程中溅射有种子层，所述种子层的材质为金属材料，厚度在0.01μm以上；
所述金属材料包括Ti、Cu和TiW的任一种或多种。
3.如权利要求1所述的不同规格尺寸凸点的制备方法，其特征在于，所述负性光刻胶和所述正性光刻胶的材质均为树脂型高分子材料或聚酰亚胺型高分子材料。
4.如权利要求3所述的不同规格尺寸凸点的制备方法，其特征在于，所述负性光刻胶的厚度不小于待生长凸点的最高高度；所述正性光刻胶的厚度不小于0.1μm。
5.如权利要求1所述的不同规格尺寸凸点的制备方法，其特征在于，所述锡帽的材质包括SnAg、SnPb和SnAgCu，其高度不低于0.1μm。
6.如权利要求1所述的不同规格尺寸凸点的制备方法，其特征在于，将种子层湿刻掉包括：
用PH范围为4-7的酸性刻蚀液将种子层湿刻掉。
7.如权利要求1所述的不同规格尺寸凸点的制备方法，其特征在于，所述回流炉中的回流温度不低于50℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
