[发明专利]真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法

权利要求书

1.一种真空配管阱装置，在单晶生长装置的真空炉与真空泵之间经由真空配管连接，捕集并回收由于单晶生长而产生的粉尘，其特征在于，具备：

上框体以及下框体，其通过连结部连结成能够相互分离；

有底的捕集筒，其收纳在所述下框体；以及

过滤器，其收纳在所述捕集筒内，

在所述上框体上，设有能够吸入来自所述真空炉的气体的进气口，

在所述下框体上，设有用于从所述捕集筒排出气体的排气口，

在所述上框体以及下框体上，设有液体的送入口以及排出口，

所述过滤器具有条状的多个阻燃性叶片过滤器，所述条状的多个阻燃性叶片过滤器分别配设成从被旋转轴轴支撑、且与所述旋转轴同心圆状地配设的圆筒周面沿着该圆筒的各径向延伸，所述旋转轴被枢设在所述捕集筒的底部的所述进气口下方。

2.根据权利要求1所述的真空配管阱装置，其特征在于，

所述过滤器包括在所述捕集筒内能够旋转地收纳的旋转过滤器。

3.根据权利要求1或2所述的真空配管阱装置，其特征在于，

配置在所述真空炉的正下方。

4.根据权利要求1或2所述的真空配管阱装置，其特征在于，

所述连结部由对置的凸缘构成，利用夹具来手动地自由接合分离，所述夹具在一处被切开的环状体的内周面设有与所述凸缘的边沿相接的槽部，将在所述环状体的切开部对置的所述环状体的一个端部处固定的棒材的自由端侧，插通到在所述环状体的另一个端部处设置的插通部，使嵌入所述棒材的自由端的筒材沿着所述棒材的轴线方向进退，改变所述环状体的切开部的间隔，由此调整所述环状体的直径。

5.根据权利要求1或2所述的真空配管阱装置，其特征在于，

所述下框体能够从与所述上框体连结的连结部开始在底面侧沿着流动方向分离。

6.根据权利要求5所述的真空配管阱装置，其特征在于，

在所述下框体能够分离的连结部以对置的凸缘构成，利用夹具来手动地自由接合分离，所述夹具在一处被切开的环状体的内周面设有与所述凸缘的边沿相接的槽部，将在所述环状体的切开部对置的所述环状体的一个端部固定的棒材的自由端侧，插通到在所述环状体的另一个端部处设置的插通部，使嵌入所述棒材的自由端的筒材沿着所述棒材的轴线方向进退，改变所述环状体的切开部的间隔，由此调整所述环状体的直径。

7.根据权利要求1或2所述的真空配管阱装置，其特征在于，

在与加热部连结的连结部上夹装有蝶形阀，所述加热部对来自所述真空炉的排气进行加热并通向该真空配管阱装置。

8.一种配管清理方法，其特征在于，

将权利要求1至7中任一项所述的真空配管阱装置安装在从单晶生长装置的真空炉向真空泵延伸的真空配管，在对所述真空配管进行清理之前，从所述送入口注入清洗水，在所述真空配管以及所述真空配管阱装置内对附着在所述捕集筒内的氧化硅(SiO)进行水洗，从所述进气口对所述排气口流过热风来干燥所述真空配管以及捕集筒，之后进行所述真空配管的开放作业。

9.一种配管清理方法，其特征在于，

将权利要求1至7中任一项所述的真空配管阱装置安装在从单晶生长装置的真空炉向真空泵延伸的阻燃性的真空配管，在对所述真空配管进行清理之前，使温度低于内部部件的燃烧温度的气体从所述进气口流向所述排气口，由此来氧化所述捕集筒内的氧化硅，形成二氧化硅(SiO₂)，从所述送入口注入高压水使所述捕集筒内的二氧化硅(SiO₂)从所述排出口排出。

10.一种真空配管阱系统，其特征在于，具备：

根据权利要求1至7中任一项所述的真空配管阱装置；以及

配管，其连接该真空配管阱装置和所述真空炉，

所述配管包括第1配管和多个第2配管，所述第1配管一端与所述真空炉连接，所述多个第2配管经由对应的多个弯曲部来连接所述第1配管的另一端和所述真空配管阱装置。