[发明专利]低热膨胀系数单斜钡长石质陶瓷及制备方法在审
| 申请号： | 201910857541.9 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110483029A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 廖红卫;詹文俊;李晓麟;伍满元 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/195 | 分类号： | C04B35/195;C04B35/622;C03C6/06 |
| 代理公司： | 11512 北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 吕良;张群峰<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 410076 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钡长石 熔块 制备 低热膨胀系数 高岭土 质量百分比 陶瓷 陶瓷坯料 玻璃液 单斜 石质 热膨胀系数 二氧化硅 高温熔融 硅微粉 碳酸钡 助熔剂 氧化铝 淬冷 混均 混匀 均一 球磨 微孔 析晶 成型 冷却 澄清 | ||
1.一种低热膨胀系数单斜钡长石质陶瓷的制备方法，其特征在于,包括以下步骤：
步骤1，按照原料的质量百分比计，提供高岭土30-60wt％，碳酸钡30-60wt％，氧化铝10wt％以下和二氧化硅10wt％以下，得到熔块原料；
步骤2，向所述熔块原料中加入20wt％以下的助熔剂，混合均匀，并经过高温熔融得到均一、澄清的钡长石玻璃液；
步骤3，将所述钡长石玻璃液淬冷、球磨后得到钡长石熔块；
步骤4，按照原料的质量百分比计，提供60wt％以上的所述钡长石熔块，重量在40wt％以下的高岭土和硅微粉，混均后得到陶瓷坯料；
步骤5，将所述陶瓷坯料成型高温析晶后，冷却，得到所述低热膨胀系数单斜钡长石质陶瓷。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，所述高温熔融的温度为1500-1550℃，在所述温度范围内保温得到所述钡长玻璃液。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，所述钡长石熔块的粒径小于200目。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，所述球磨以水为分散剂，二氧化锆球为球磨介质。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，所述二氧化锆球与所述钡长石玻璃液形成的钡长石玻璃原料的重量比为3:1。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，所述高温析晶的温度为950-1250℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤5中还包括，以5℃/min的速率升温至100℃，以8℃/min的速率升温至800℃，以5℃/min的速率升温至950-1250℃。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述助熔剂为氟化锂。
9.一种低热膨胀系数单斜钡长石质陶瓷，其特征在于，根据权利要求1-8任一项所述的低热膨胀系数单斜钡长石质陶瓷的制备方法制备得到。
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