[发明专利]用于负显影的光掩模

说明书

提供了一种用于负显影的光掩模。所述光掩模包括：主区域；以及划道区域，围绕主区域并包括第一道和第二道。第一道和第二道相对于主区域设置在彼此的第一相对侧处。第一道包括在第一方向上延伸的第一子道和在第一方向上延伸的第二子道。第一子道包括第一虚设图案，第二子道包括第二虚设图案。第一虚设图案和第二虚设图案被构造为将超过光阈值剂量的光辐射到负性光致抗蚀剂的设置在光掩模的第一道下方的第一部分。

本申请要求于2018年9月17日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0111025号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及一种用于负显影(NTD，negative-tone development)的光掩模，更具体地，涉及一种以低成本快速设计和制造并且具有较少的缺陷的用于NTD的光掩模。

背景技术

用于NTD的光掩模在划道上覆盖到划道的表面以选择性地透射光，使得仅未掩蔽的区域将暴露于光。在NTD工艺中，光致抗蚀剂材料通过光而强化(聚合或交联)，并且显影剂将仅溶解掉未暴露于光的区域，在未放置有光掩模的区域中留下涂层。这里，因为透射光会不必要地散射并且对与划道相邻的主区域产生不利影响，所以需要适当地控制光向主区域中的散射。

发明内容

示例实施例提供了一种用于负显影(NTD)的光掩模，该光掩模以低成本被快速制造并且具有较少的缺陷。

根据示例实施例的方面，提供了一种用于负显影(NTD)的光掩模，所述光掩模包括：主区域；以及划道区域，围绕主区域并包括第一道和第二道，第一道和第二道相对于主区域设置在彼此的第一相对侧处，其中，第一道包括在第一方向上延伸的第一子道和在第一方向上延伸的第二子道，第一子道包括第一虚设图案，第二子道包括第二虚设图案，并且第一虚设图案和第二虚设图案被构造为将超过光阈值剂量的光辐射到负性光致抗蚀剂的设置在光掩模的第一道下方的第一部分。

根据示例实施例的方面，提供了一种用于负显影(NTD)的光掩模，所述光掩模包括：主区域，具有矩形形状；以及划道区域，围绕主区域并具有恒定宽度，其中，划道区域包括：第一角区域、第二角区域、第三角区域和第四角区域，第一角区域、第二角区域、第三角区域和第四角区域分别与主区域的四个角相邻，其中，第一角区域、第二角区域、第三角区域和第四角区域中的每个具有使超过光阈值剂量的光辐射到负性光致抗蚀剂的区域透光率。

根据示例实施例的方面，提供了一种用于负显影(NTD)的光掩模，所述光掩模包括：主区域，具有矩形形状；以及划道区域，围绕主区域并具有恒定宽度，其中，划道区域包括沿划道区域的内边缘延伸的第一虚设图案区域、沿划道区域的外边缘延伸的第二虚设图案区域以及布置在第一虚设图案区域与第二虚设图案区域之间的空白区域，其中，第一虚设图案区域和第二虚设图案区域中的一个可以是线与间隔图案，并且第一虚设图案区域和第二虚设图案区域中的另一个可以是块图案。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，以上和/或其它方面将被更清楚地理解，在附图中：

图1是根据示例实施例的用于负显影(NTD)的光掩模的图；

图2是根据示例实施例的图1中的区域II的放大图；

图3是示出根据示例实施例的使用用于NTD的光掩模对基底上的掩模图案进行曝光的分步重复方法的概念图；

图4A是示出第二道的沿图1的线IVA-IVA的曝光量的图；

图4B是示出第一道的沿图1的线IVB-IVB的曝光量的图；

图4C是示出根据示例实施例的被曝光两次的双重叠置区域的曝光量的图；

图4D是根据示例实施例的沿图1的线IVD-IVD的曝光量和沿图1的线IVD-IVD的光致抗蚀剂图案的概念图；