[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

栅电极，所述栅电极位于衬底上；

源极/漏极图案，所述源极/漏极图案位于所述衬底上并与所述栅电极间隔开；以及

栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上，

其中，所述栅极接触插塞包括：

第一栅极接触段；以及

第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸，并且

其中，所述第一栅极接触段的上部宽度大于所述第二栅极接触段的下部宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二栅极接触段具有随着与所述栅电极的距离增大而增加的宽度，以及

所述第一栅极接触段具有随着与所述栅电极的距离增大而增加的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极接触插塞包括第一金属插塞和位于所述第一金属插塞的侧壁上的第一阻挡图案。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一栅极接触段包括第一阻挡图案和第一金属插塞，并且

所述第二栅极接触段包括所述第一金属插塞。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二栅极接触段的侧壁上不包括阻挡图案。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括源极/漏极接触插塞，所述源极/漏极接触插塞位于所述源极/漏极图案上，其中，所述源极/漏极接触插塞包括：

第一源极/漏极接触段；以及

第二源极/漏极接触段，所述第二源极/漏极接触段从所述第一源极/漏极接触段的顶表面在所述竖直方向上延伸，并且

其中，所述第一源极/漏极接触段的上部宽度大于所述第二源极/漏极接触段的下部宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极接触段的所述顶表面至少部分地由所述第二栅极接触段暴露。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括阻挡介电层，所述阻挡介电层位于所述第二栅极接触段的侧壁和所述第一栅极接触段的所述顶表面上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述阻挡介电层包括氮化硅层。

10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

栅电极，所述栅电极位于衬底上；

源极/漏极图案，所述源极/漏极图案位于所述衬底上并与所述栅电极间隔开；以及

栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上，

其中，所述栅极接触插塞包括：

第一金属插塞，所述第一金属插塞位于所述栅电极上；以及

第一阻挡图案，所述第一阻挡图案覆盖所述第一金属插塞的侧壁，其中：

所述第一金属插塞包括由所述第一阻挡图案暴露的第一上部和由所述第一阻挡图案覆盖的第一下部。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括源极/漏极接触插塞，所述源极/漏极接触插塞位于所述源极/漏极图案上，

其中，所述源极/漏极接触插塞包括：第二金属插塞，所述第二金属插塞位于所述源极/漏极图案上；以及第二阻挡图案，所述第二阻挡图案覆盖所述第二金属插塞的第二下部，

其中，所述第二金属插塞的第二上部由所述第二阻挡图案暴露。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

所述第一金属插塞的顶表面所在的水平高度与所述第二金属插塞的顶表面的水平高度相同。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一上部的厚度等于所述第二上部的厚度。