[发明专利]一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置在审
| 申请号： | 201910858620.1 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110408912A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 靳伟;崔国东;戴秀海 | 申请（专利权）人： | 光驰科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海申蒙商标专利代理有限公司 31214 | 代理人： | 周宇凡 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频等离子 原子层沉积 真空镀膜室 基片支架 多层式 旋转等离子体 成膜装置 基片装载 多片式 等离子体增强原子层沉积 薄膜制备技术 等离子体源 成膜功能 生产效率 运营成本 真空镀膜 装片系统 装载量 成膜 叠置 多层 多片 面型 转架 垂直 室内 | ||
1.一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述装置包括真空镀膜室、射频等离子体面源以及多层式基片支架，所述真空镀膜室和所述射频等离子体面源相连通，所述多层式基片支架设置在所述真空镀膜室内并可在所述真空镀膜室的内部旋转，所述多层式基片支架具有至少两个沿高度方向叠置的基片装载位，且所述基片装载位垂直于所述射频等离子体面源布置。
2.根据权利要求1所述的一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述真空镀膜室包括真空外腔室和真空反应腔室，所述真空反应腔室位于所述真空外腔室的内部且与所述射频等离子体面源相连通；所述多层式基片支架位于所述真空反应腔室之中。
3.根据权利要求2所述的一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述真空反应腔室和所述真空外腔室之间可相对升降，使位于所述多层式基片支架产生相对升降。
4.根据权利要求2所述的一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述射频等离子体面源包括矩形射频等离子体真空腔室和矩形射频等离子体线圈，所述矩形射频等离子体线圈布置在所述矩形射频等离子体真空腔室的侧壁；所述矩形射频等离子体真空腔室与所述真空外腔室之间通过真空密封圈连接。
5.根据权利要求4所述的一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述矩形射频等离子体真空腔室与所述真空反应腔室之间设置有等离子体栅网，所述等离子体栅网上布置有孔洞。
6.根据权利要求5所述的一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述等离子体栅网与所述真空反应腔室之间通过金属接触密封连接。
7.根据权利要求1所述的一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述真空镀膜室内对称布置有由若干所述多层式基片支架构成的多转架系统，所述多转架系统在真空镀膜室内公转，且每个所述多层式基片支架同时独立自转。
8.根据权利要求1或7所述的一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述多层转架可在所述真空镀膜室内升降。
9.根据权利要求1所述的一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述层式基片支架的同一高度的水平面内布置有至少两个所述基片装载位。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
