[发明专利]光电催化半导体材料的活性调控方法有效
| 申请号： | 201910858755.8 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110449172B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘乐全;张琪琪;刘敏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25B11/073 | 分类号： | C25B11/073;C25B1/04;C25B1/55;C25B11/087 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 催化 半导体材料 活性 调控 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电催化水分解半导体材料在光电催化水分解出氧和析氢中的应用，其特征在于，采用卤离子对半导体材料制成的电极材料进行表面修饰，所述卤离子包括氯离子、溴离子、碘离子；卤离子通过卤离子盐的形式引入修饰，包括卤化钠、卤化钾；所述光电催化水分解半导体材料为钒酸铋、三氧化钨；钒酸铋和三氧化钨为单斜相，采用卤离子对电极材料进行表面修饰的操作步骤为：将350℃以上晶化后的电极材料制成导电薄膜，采用含卤离子的盐溶液对导电薄膜进行浸泡，溶液中卤离子的浓度为0.5～5mmol/L，浸泡时间为4～15h，然后烘干得到卤离子修饰的电极材料产品。
2.根据权利要求1所述的光电催化水分解半导体材料在光电催化水分解出氧和析氢中的应用，其特征在于，采用含卤离子的盐溶液对导电薄膜进行浸泡，溶液中卤离子的浓度为1mmol/L。
3.根据权利要求1所述的光电催化水分解半导体材料在光电催化水分解出氧和析氢中的应用，其特征在于，所述导电薄膜采用电沉积、水热沉积反应、离心沉降+旋涂的方式附着于导电玻璃上并形成晶化后的电极材料；浸泡后电极材料在60℃下烘干1～12h。
4.根据权利要求1所述的光电催化水分解半导体材料在光电催化水分解出氧和析氢中的应用，其特征在于，所述电极材料的光电催化条件为：300W氙灯作为光源，电压为0.2～1.3Vvs.RHE。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910858755.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
