[发明专利]一种紫外发光二极管及有效提高紫外发光二极管出光的方法在审
| 申请号： | 201910858792.9 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110931618A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王雪;崔志勇;张晓娜;张向鹏;薛建凯;郭凯;李勇强;文晋 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 有效 提高 方法 | ||
1.一种紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管包括：
基底，所述基底用于承载所述紫外发光二极管芯片的各层；
发光结构，所述发光结构产生紫外光，所述发光结构包括布置衬底上的第一导电型半导体层、第二导电型半导体层，以及设置在第一和第二型半导体层之间的有源层；
电极，所述电极包括第一电极和第二电极，分别设置在第一导电型半导体层、第二导电型半导体层上；
以及，
透明电介质层叠结构，所述透明电介质层叠结构设置在发光结构之上，该透明电介质层叠结构包括上下堆叠的多层渐变折射率的透明电介质层；每层电介质层的厚度为d＝λ/4n，其中，λ为紫外光在介质层中传播的波长，n为紫外光在介质层中的折射率；所述的透明电介质层叠结构由发光结构向外延伸的方向上相邻的透明电介质层之间的折射率依次递减，递减梯度小于或等于0.01。
2.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，该透明电介质层叠结构可以包括N1层透明导电介质层和N2层透明绝缘介质层，其中N1+N2＝N，N1为大于等于2的整数，N2为自然数。
3.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，
层叠结构的透明电介质层的折射率范围为1.3～2.6。
4.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外半导体N2层透明绝缘介质层，绝缘层布置在透明导电层叠结构之上且覆盖除电极之外的材料的上表面及侧壁。
5.根据权利要求2所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述透明电介质层的光透射率为90％以上。
6.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，形成所述透明电介质层材料的其折射率均比第二导电型半导体材料小。
7.根据权利要求7所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，N1层透明导电介质材料包括ITO、ZAO、TiO2、石墨烯；N2层透明绝缘层材料包括氧化硅、氧化铝、有机聚合物。
8.根据权利要求1所述的，一种紫外发光二极管，其特征在于，所述透明电介质层叠结构中的各层可以为同一材料，也可采用不同的材料。
9.根据权利要求9所述的，一种紫外发光二极管，其特征在于，透明电介质层叠结构中的各层交替设置。
10.一种紫外发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法制造如权利要求1-9中任一项所述的紫外发光二极管，所述方法包括：
步骤一、形成基底和发光结构；
步骤二、在所述发光结构上形成所述透明电介质层叠结构。
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