[发明专利]一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件有效
| 申请号： | 201910859024.5 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110726959B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 郜壮壮;于长秋;周铁军;温嘉红;李海 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反常 霍尔 效应 灵敏度 调节 磁场 传感 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，该磁场传感器件具有多层膜结构，结构为：从上到下依次为导电层、绝缘层、薄膜层、缓冲层，所述导电层用于接入控制电压，从而调控薄膜层垂直各向异性的大小，来调节磁性传感器件的灵敏度；其中薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，然后刻蚀掉十字结构横向两个电极上多余的镀层，露出电极；所述的薄膜层由CoFeB和MgO构成，CoFeB的厚度为1.1-1.5nm，MgO的厚度为2-3nm；
当沿垂直于传感器件厚度方向通入的控制电压Us为一固定值时，传感器件横向两电极通入恒定电流I，检测来自于和电流方向一致的外部磁场H，而传感器件纵向两电极用于采集随外部磁场变化的电压，从而实现对外部磁场的检测。
2.根据权利要求1所述的一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，所述导电层应为导电材料，为Al、Pt或Ru，厚度为20nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，所述绝缘层应为绝缘材料，为SiO2、TiO2或Ta2O5，此层厚度选择50nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，所述的缓冲层为缓冲材料Ta，厚度应为3-5nm。
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