[发明专利]一种晶硅高效光伏电池结构

权利要求书

1.一种晶硅高效光伏电池结构，包括硅基体，其特征在于，在硅基体的上表面（受光面）自下而上依次包括隧穿介质层或本征硅层、功能层、光学层及电极；所述功能层为高透光率的半导体层，所述功能层的电阻率比硅基体的电阻率低1-6个数量级，所述功能层的厚度为5-200nm。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述功能层的电阻率比硅基体的电阻率低2-4个数量级。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述功能层为ZnO层或TiO₂层或NiO层或Cu₂O层。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述功能层的厚度为10-20nm。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述隧穿介质层为绝缘层；优选地，所述隧穿介质层为SiO₂层或Al₂O₃层或SiC层。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述隧穿介质层的厚度为0.4-5nm；优选地，所述隧穿介质层的厚度为0.8-2nm。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述本征硅层为非晶态或微晶态或多晶态，本征硅层的厚度为1-20nm；优选地，所述本征硅层的厚度为5-10nm。

8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光学层的厚度为60-110nm，平均折射率为1.8-2.3，透光率为不低于80%；优选地，所述光学层的厚度为70-90nm，平均折射率为1.9-2.1，透光率为高于90%。

9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光学层为绝缘层，所述电极和功能层物理接触；优选地，所述光学层为SiNx层或AlN层或SiO₂层。

10.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光学层为导电层，所述电极和光学层物理接触；优选地，所述光学层为氧化锌掺铝层或氧化铟掺锡层或氧化锡掺氟层或氧化锡掺锑层。