[发明专利]一种用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法

权利要求书

1.一种用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法，包括以下步骤：

(1)将龟裂液涂覆在基底上；

(2)控制温度、湿度和时间使龟裂液自然龟裂形成微米级龟裂块的龟裂模板；所述龟裂液龟裂的温度控制在40～80℃，湿度控制在60～80％RH，时间控制在8～12min；所述微米级龟裂块的直径在20～400微米之间；

(3)采用真空镀膜的方式在龟裂模板上沉积金属薄膜；

(4)将龟裂块与基底分离，然后将金属薄膜与龟裂块分离获得微米级超薄金属片；所述金属薄膜与龟裂块分离是将附着有金属薄膜的龟裂块用去离子水或者乙醇进行多次清洗，干燥得到微米级超薄金属片。

2.根据权利要求1所述用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法，其特征在于，所述龟裂液包括蛋白溶胶、聚合物涂料和氧化物溶胶。

3.根据权利要求2所述用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法，其特征在于，所述蛋白溶胶为天然蛋清、人造蛋白粉胶体，所述聚合物涂料为甲油CA600，所述氧化物溶胶为二氧化钛溶胶。

4.根据权利要求3所述用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法，其特征在于，在基底表面涂覆龟裂液之前，对基底进行预处理：将基底先放入去离子水中超声加热清洗，再通入氮气进行干燥，干燥后再进行等离子体清洗。

5.根据权利要求1或4所述用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法，其特征在于，所述基底为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。

6.根据权利要求5所述用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法，其特征在于，所述真空镀膜方法包括热蒸镀、化学气相沉积、离子溅射、磁控溅射；所述金属薄膜厚度为20-500nm。

7.根据权利要求6所述用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法，其特征在于，所述龟裂模板表面形成的金属薄膜为Ag、Ni、Cu、Au或它们之间的合金。

8.根据权利要求1所述用于导电胶填料微米级超薄金属片的制备方法，其特征在于，所述龟裂块与基底的分离是采用去离子水或者其他溶剂对基底进行冲洗或者超声波清洗，静置后过滤水份分离，得到表面附着有金属薄膜的龟裂块。