[发明专利]MRAM-NAND控制器及内存条

说明书

本申请提供一种MRAM‑NAND控制器及内存条。控制器包括嵌入式MRAM、采用DDR‑DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器与网络接口。由于MRAM‑NAND控制器的主机接口，采用DDR‑DRAM接口，有助提高控制器及其应用的内存条的读写速度。通过网络接口，多个由控制器与存储单元封装而成的控制芯片可联合操作，有助提升存储的带宽。微控制器结合存储单元配置于内存条，实现靠近数据进行处理的原则，更能进一步节省电能。

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，特别是关于MRAM-NAND控制器及内存条架构。

背景技术

固态硬盘(Solid State Drives，SSD)，简称固盘，采用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。

NAND闪存技术的发展虽然推动了SSD产业，但由于对尺寸的严格要求，现有的手机、平板电脑很难支持SSD。为能扩大技术适用性与提升存储器的读写速度与稳定性，现有方案一般是将DDR内存(Double Data Rate Dynamic Random Access Memory，双倍速率动态随机存储器，为DDR-DRAM的简称)技术结合MRAM(Magnetic random access memory，磁性随机存储器)存储技术，将其应用于手机、平板电脑的主控芯片上，以加速数据的读写速度与稳定性。

例如：中国专利CN201510098598.7即提出利用MRAM提高存储设备的性能，应用于新架构的贴片式固态硬盘，其在主控芯片内加入MRAM，并且使用DRAM的接口与主机通信。

然而，现行方案虽为手机等终端设备提供了高性能的存储器件。但就云端服务器、数据中心、高速运算中心…等，该方案所提供的存储带宽实有不足，也较不易提供更高效的数据处理能力，适用性较为受限。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请的目的在于，提供一种具备数据处理和联网能力的MRAM-NAND控制器及内存条。

本申请的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

依据本申请提出的一种MRAM-NAND控制器，其包括：嵌入式MRAM、采用DDR-DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器与网络接口；所述MRAM-NAND控制器通过所述主机接口与主机芯片连接；所述微控制器连接所述主机接口、所述网络接口、所述嵌入式MRAM与所述NAND控制器，以控制所述MRAM-NAND控制器的内部运作；以及，所述MRAM-NAND控制器制成在一个硅片上。

本申请解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

在本申请的一实施例中，所述NAND控制器为单通道或多通道。

在本申请的一实施例中，所述主机接口中预留一段地址，用于所述主机芯片控制所述微控制器与所述NAND控制器的操作。

在本申请的一实施例中，所述微控制器可以是单核心或多核心的运算处理结构的。

本申请的另一目的的一种内存条，其包括多个存储芯片，每一存储芯片封装有如前述任一种MRAM-NAND控制器与一个或多个NAND硅片。

在本申请的一实施例中，所述多个存储芯片的网络接口相互连接而形成所述控制网络。

在本申请的一实施例中，所述多个存储芯片的主机接口皆被导引设置至所述内存条的接脚；所述主机接口连接所述主板的传输线路，所述多个存储芯片的每一者通过主机接口连接至所述主机芯片。