[发明专利]磁件装置和双向DC变换电路有效
申请号: | 201910860111.2 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110729903B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 谭威;余鹏 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H01F27/24;H01F27/28 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 袁方 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 双向 dc 变换 电路 | ||
1.一种磁件装置,其特征在于,包括:第一磁件、第二磁件、第一绕组、第二绕组,其中,所述第一磁件包括第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱以及至少一个第四磁柱;所述第一绕组围绕所述第一磁柱和所述第二磁柱绕制,所述第二绕组围绕所述第一磁柱和所述第三磁柱绕制,所述第一绕组围绕所述第二磁柱绕制的方向与所述第二绕组围绕所述第三磁柱绕制的方向相反;
所述第一磁件通过所述第一磁柱和所述第四磁柱与所述第二磁件形成变压器的磁路;
所述第一绕组围绕所述第二磁柱的部分形成原边谐振电感;
所述第二绕组围绕所述第三磁柱的部分形成副边谐振电感。
2.根据权利要求1所述的磁件装置,其特征在于,所述第二磁件为无磁柱的磁件,所述第二磁件的一面与所述第一磁件的所有磁柱耦合。
3.根据权利要求1所述的磁件装置,其特征在于,所述第二磁件为有磁柱的磁件,所述第二磁件与所述第一磁件在相同位置的磁柱相对放置并耦合。
4.根据权利要求1所述的磁件装置,其特征在于,所述第一磁件还包括第五磁柱和第六磁柱,
所述第一绕组还围绕所述第四磁柱和所述第五磁柱绕制,所述第一绕组围绕所述第五磁柱绕制的方向与所述第一绕组围绕所述第二磁柱绕制的方向相反,所述第一绕组围绕所述第四磁柱绕制的方向与所述第一绕组围绕所述第一磁柱绕制的方向相反;所述第一绕组围绕所述第二磁柱和所述第五磁柱的部分形成原边谐振电感;
所述第二绕组还围绕所述第四磁柱和所述第六磁柱绕制,所述第二绕组围绕所述第六磁柱绕制的方向与所述第二绕组围绕所述第三磁柱绕制的方向相反,所述第二绕组围绕所述第四磁柱绕制的方向与所述第二绕组围绕所述第一磁柱绕制的方向相反;所述第二绕组围绕所述第三磁柱和所述第六磁柱的部分形成副边谐振电感。
5.根据权利要求4所述的磁件装置,其特征在于,所述第四磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度,以及,所述第一磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度相同。
6.根据权利要求4所述的磁件装置,其特征在于,所述第二磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度以及所述第五磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度相同,所述第三磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度以及所述第六磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度相同。
7.根据权利要求1所述的磁件装置,其特征在于,所述磁件装置还包括至少一个第三绕组,所述第三绕组围绕所述第四磁柱绕制,所述第三绕组围绕所述第四磁柱的部分形成第二副边线圈。
8.根据权利要求7所述的磁件装置,其特征在于,所述磁件装置还包括至少一个第四绕组,所述第四绕组围绕所述第一磁柱绕制,所述第四绕组围绕所述第一磁柱绕制的部分形成第二副边线圈。
9.根据权利要求1-8任一项所述的磁件装置,其特征在于,所述第二磁柱、所述第三磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度大于或等于所述第一磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度,并且所述第一磁柱与所述第二磁件之间的气隙宽度大于0。
10.一种双向直流DC变换电路,其特征在于,包括:原边谐振开关电路、副边谐振开关电路以及如权利要求1-9任一项所述的磁件装置,所述原边谐振开关电路与所述磁件装置的原边谐振电感连接,所述副边谐振开关电路与所述磁件装置的副边谐振电感连接。
11.根据权利要求10所述的双向直流DC变换电路,其特征在于,还包括副边开关电路,所述副边开关电路与所述磁件装置的第二副边线圈连接。
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