[发明专利]大花胡麻草克服烧尖坏死提高人工快繁效率的方法有效

专利信息
申请号: 201910860199.8 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN110463609B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 徐福荣;黄衡宇 申请(专利权)人: 云南中医药大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 代理人: 赵桂芳
地址: 650501 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 胡麻 克服 坏死 提高 人工 效率 方法
【权利要求书】:

1.大花胡麻草克服烧尖坏死提高人工快繁效率的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)外植体的获取:选择生长势好、无病虫害、无畸形的健壮植株,取其茎尖下茎段;

(2)将步骤(1)的带节茎段进行消毒处理;

(3)诱导腋芽萌发、基茎丛生芽发生和增殖:将经过步骤(2)消毒灭菌好的外植体以插入的方式接入下列培养基A中,所述培养基A,包括以下原料:

MS基本培养液

6-苄氨基嘌呤 1.5-2.0 mg/L

萘乙酸 0.1-0.5 mg/L

活性炭 500 mg/L

蔗糖 30000 mg/L

果糖 500 mg/L

琼脂粉 5000 mg/L

控制光照度、温度、光照时间的条件下进行愈伤组织和腋芽萌发诱导;

(4)消除烧尖坏死及增殖培养:在步骤(3)培养基A中继代增殖后,将步骤(3)中培养的增殖苗转接至下列培养基B中,所述培养基B,包括以下原料:

改良的MS基本培养液:硝酸钾、磷酸二氢钾、2水合氯化钙增加至原来的1.5倍,其余成分不变

6-苄氨基嘌呤 1.5-2.0 mg/L

萘乙酸 0.1-0.5 mg/L

赤霉素 5.0-10.0 mg/L

硫酸腺嘌呤 100 mg/L

蔗糖 30000 mg/L

果糖 500 mg/L

活性炭 500 mg/L

琼脂粉 5000 mg/L

控制光照度、温度、光照时间的条件下进行增殖培养;

(5)将增殖芽丛按生长周期轮流接入步骤(3)和步骤(4)培养基中,在保持增殖系数的同时又有效克服了烧尖坏死的发生,其中,培养基A和培养基B轮流使用;

(6)取步骤(5)中培养基B中的增殖苗接种于下列培养基C中,所述培养基C,包括以下原料:

1/2改良的MS基本培养液:硝酸钾、磷酸二氢钾、2水合氯化钙增加至原来的1.5倍,其余成分不变

萘乙酸 1.0-1.5 mg/L

多效唑 8.0-10.0 mg/L

活性炭 500 mg/L

蔗糖 30000 mg/L

果糖 500 mg/L

琼脂粉 5000 mg/L

控制光照度、温度、光照时间的条件下获得根系发达、苗矮壮的试管苗;

(7)炼苗和移栽:取步骤(6)中生根瓶苗置于室温下炼苗,从培养基C中取出幼苗,将残留培养基清洗干净,放入多菌灵溶液中消毒,后移栽至经高锰酸钾消毒的腐殖质中保温保湿培养,即得移栽苗。

2.根据权利要求1所述大花胡麻草克服烧尖坏死提高人工快繁效率的方法,其特征在于,步骤(2)中所述带节茎段进行消毒处理的方法为:先用自来水清洗表面灰尘和杂物,再用质量比为10%的洗衣粉溶液浸泡10 min并轻微震荡搅动后流水冲洗30 min,置于超净工作台上用体积比为75%的酒精消毒15 s,再用质量百分比为0.1%的HgCl2灭菌6 min,最后无菌水冲洗5-6次,每次不低于3min,在整个消毒过程中充分摇动器皿,最终得到消毒灭菌处理的外植体。

3.根据权利要求1所述大花胡麻草克服烧尖坏死提高人工快繁效率的方法,其特征在于,所述培养基A的pH值为5.4-5.6。

4.根据权利要求1所述大花胡麻草克服烧尖坏死提高人工快繁效率的方法,其特征在于,所述培养基B的pH值为5.4-5.6。

5.根据权利要求1所述大花胡麻草克服烧尖坏死提高人工快繁效率的方法,其特征在于,所述培养基C的pH值为5.4-5.6。

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