[发明专利]一种基于类双高斯结构的成像系统有效
申请号: | 201910860640.2 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110703432B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 刘飞;赵小明;杨思原;冯位欣;段景博;马生存;刘佳维 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G02B27/00 | 分类号: | G02B27/00;G02B27/58;G02B13/00;G01V8/10 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 类双高斯 结构 成像 系统 | ||
1.一种基于类双高斯结构的成像系统,其特征在于,包括:
主成像光学系统(1),包括类双高斯结构透镜,用于将观测视场成像于球面一次像面,并在成像过程中矫正成像的横向色差和色散;
所述主成像光学系统(1)包括第一透镜组(11)和第二透镜组(12),其中,所述第一透镜组(11)与所述第二透镜组(12)沿光轴方向依次设置且彼此通过气隙(B)相隔开,所述第一透镜组(11)中靠近所述气隙(B)的透镜与所述第二透镜组(12)中靠近所述气隙(B)的透镜形成球透镜结构,且所述第一透镜组(11)与所述第二透镜组(12)形成类双高斯结构;
所述第一透镜组(11)包括第一透镜(111)、第二透镜(112)和第三透镜(113),所述第二透镜组(12)包括第四透镜(121)、第五透镜(122)和第六透镜(123),所述第一透镜(111)、所述第二透镜(112)和所述第三透镜(113)沿所述光轴方向依次设置,所述第一透镜(111)与所述第二透镜(112)之间相距预设距离,所述第二透镜(112)与所述第三透镜(113)之间相互胶合形成第一胶合面;所述第四透镜(121)、所述第五透镜(122)和所述第六透镜(123)沿所述光轴方向依次设置,所述第四透镜(121)和第五透镜(122)之间相互胶合形成第二胶合面,所述第五透镜(122)和所述第六透镜(123)之间相互胶合形成第三胶合面;
所述第一透镜(111)入射面的曲率半径为225~229mm,所述第一透镜(111)出射面的曲率半径为523~527mm,所述第二透镜(112)入射面的曲率半径为642~646mm,所述第一胶合面的曲率半径为110~114mm,所述第三透镜(113)出射面的曲率半径为3×105~7×105mm,所述第四透镜(121)入射面的曲率半径为-2602~-2606mm,所述第二胶合面的曲率半径为-88~-92mm,所述第三胶合面的曲率半径为-156~-160mm,所述第六透镜(123)出射面的曲率半径为-141~-145mm,所述主成像光学系统(1)像面的曲率半径为-403~-407mm;
次级成像光学系统(2),包括若干子次级成像光学系统(21),若干所述子次级成像光学系统(21)设置在所述球面一次像面之后且分布在以所述主成像光学系统(1)的中心位置为球心的半球面上,用于将所述球面一次像面分割为若干子图像且使相邻所述子图像之间存在视场重叠,同时矫正所述主成像光学系统(1)的残余像差。
2.如权利要求1所述的基于类双高斯结构的成像系统,其特征在于,所述第一透镜(111)入射面的半口径为106~110mm,所述第一透镜(111)出射面的半口径为101~105mm,所述第二透镜(112)入射面的半口径为87~91mm,所述第一胶合面的半口径为68~72mm,所述第三透镜(113)出射面的半口径为66~70mm,所述第四透镜(121)入射面的半口径为60~64mm,所述第二胶合面的半口径为62~66mm,所述第三胶合面的半口径为74~78mm,所述第六透镜(123)出射面的半口径为81~85mm,所述主成像光学系统(1)像面的半口径为12~16mm。
3.如权利要求1所述的基于类双高斯结构的成像系统,其特征在于,沿所述光轴方向上,所述第一透镜(111)的厚度为26~30mm,所述第一透镜(111)出射面至所述第二透镜(112)入射面的距离为24~28mm,所述第二透镜(112)的厚度为25~29mm,所述第三透镜(113)的厚度为28~32mm,所述第三透镜(113)出射面至所述第四透镜(121)入射面的距离为45~49mm,所述第四透镜(121)的厚度为28~32mm,所述第五透镜(122)的厚度为23~27mm,所述第六透镜(123)的厚度为25~29mm,所述第六透镜(123)出射面至所述主成像光学系统(1)像面的距离为288~292mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910860640.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。