[发明专利]一种晶体生长装置在审
| 申请号： | 201910860777.8 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110592661A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;王刚 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热器 导流套筒 坩埚 辅助结构 晶体生长装置 晶体生长 加热器表面 包围 连接组合 使用寿命 侧面 配置 熔体 加热 盛装 侵蚀 | ||
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：
坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；
加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；
导流套筒，所述导流套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间；
辅助结构，所述导流套筒与所述辅助结构连接，以将所述加热器的顶部和侧面包围。
2.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述导流套筒的下表面低于所述加热器的下表面。
3.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述导流套筒与所述加热器相邻的表面的间距大于10mm，所述导流套筒与所述坩埚相邻的表面的间距大于10mm。
4.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述导流套筒的厚度范围为2mm-20mm。
5.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，还包括炉体以及设置在所述炉体内壁的隔热结构，所述辅助结构覆盖于所述隔热结构上。
6.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述辅助结构与所述导流套筒一体化设计。
7.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述导流套筒为整体构造或者由多个分体组合而成。
8.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述导流套筒的形状为圆筒或圆锥筒，或圆筒和圆锥筒的组合。
9.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述导流套筒的构成材料包括石墨或碳/碳复合材料。
10.如权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，还包括排气装置，所述排气装置设置于所述晶体生长装置的底部，所述排气装置的中心到所述炉体的中心的距离小于所述导流套筒的半径。
11.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚包括石墨坩埚和石英坩埚，所述熔体包括硅熔体，所述加热器包括石墨加热器。
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