[发明专利]一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片及电池的方法

权利要求书

1.一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

1)首先根据镀膜尺寸设计对应尺寸的N区镀膜阴罩(20)及P区镀膜阴罩(30)；

2)镀膜前，将硅片(10)放置在N区镀膜阴罩(20)内定位好以遮挡P区；

3)基于磷掺杂的硅靶材(22)并采用PVD镀膜工艺将硅片(10)上的N区镀膜以形成N膜(15)；

4)再将N区镀膜后的硅片(10)从N区镀膜阴罩(20)内取出放置在P区镀膜阴罩(30)内定位好以遮挡N区；

5)基于硼掺杂的硅靶材(32)并采用PVD镀膜工艺将硅片(10)上的P区镀膜以形成P膜(14)。

2.一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

1)首先根据镀膜尺寸设计对应尺寸的N区镀膜阴罩(20)及P区镀膜阴罩(30)；

2)镀膜前，将硅片(10)放置在P区镀膜阴罩(30)内定位好以遮挡N区；

3)基于硼掺杂的硅靶材(32)并采用PVD镀膜工艺将硅片(10)上的P区镀膜以形成P膜(14)；

4)再将P区镀膜后的硅片(10)从P区镀膜阴罩(30)内取出放置在N区镀膜阴罩(20)内定位好以遮挡P区；

5)基于磷掺杂的硅靶材(22)并采用PVD镀膜工艺将硅片(10)上的N区镀膜以形成N膜(15)。

3.根据权利要求1或2所述的一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，N区镀膜阴罩(20)对P区的遮挡及P区镀膜阴罩(30)对N区的遮挡具有部分重叠区，以使N膜(15)和P膜(14)无互相接触。

4.根据权利要求3所述的一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，重叠区的宽度为10-110μm。

5.根据权利要求4所述的一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，N区镀膜阴罩(20)的镀膜开口宽度为100-500μm，P区镀膜阴罩(30)的镀膜开口宽度为500-2000μm。

6.一种根据权利要求3所述的用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法制备HBC电池的工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：

1)单晶硅片(10)进行清洗后在正面或正反表面制绒；

2)在硅片(10)反面镀非晶硅(11)，厚度为3-10nm；

3)在硅片(10)正面镀抗反射层(13)，抗反射层(13)包括SiN、Al₂O₃或SiO₂抗反射层(13)，或者SiN、Al₂O₃、SiO₂中任两种或三种的叠层抗反射层(13)，抗反射层(13)的厚度为70-110nm；

4)在硅片(10)反面基于权利要求1或2获得N层及P层，N层的厚度为5-10nm，P层的厚度为5-10nm；

5)在P层和N层之间镀SiN保护层，厚度为10-100nm；

6)在P层和N层分别制备导电电极(16)，从而获得HBC结构的电池。

7.根据权利要求1或2所述的一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，镀膜时，硅片(10)坐落在阴罩上，靶材放置在镀膜阴罩下方以从下向上形成镀膜；PVD镀膜工艺用氩气、或氢气、或氩气与氢气的混合气，工作压力为0.01-10Pa。

8.根据权利要求7所述的一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，靶材是纯硅通过预先掺杂磷或者纯硅靶材在镀膜时通磷烷或含有磷的气体以形成磷掺杂的非晶硅用于N区镀膜；以及纯硅靶材通过预先掺杂硼或者纯硅靶材在镀膜时通硼烷、BF₃或含有硼的气体以形成硼掺杂的非晶硅用于P区镀膜。

9.根据权利要求1或2所述的一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，镀膜阴罩内放置硅片(10)后，利用镀膜阴罩的边缘作为挡边把硅片(10)定位在镀膜阴罩内。

10.根据权利要求1或2所述的一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，镀膜过程中，载板(40)连续向同一方向运行，载板(40)上同时放置多个镀膜阴罩以同时用于多块硅片(10)的承载与镀膜。