[发明专利]一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备在审
申请号: | 201910862647.8 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN110643977A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 上官泉元;庄正军 | 申请(专利权)人: | 常州比太科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/54;C23C16/24;C23C16/40;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/56 |
代理公司: | 11578 北京集智东方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 213164 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载板 镀膜 回传 循环系统 非晶硅 载台 水平移 料台 整合 电池 设备制造成本 本征非晶硅 一次性完成 工艺集成 链式循环 通过设备 依次设置 产能 两层 自动化 制造 | ||
1.一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备,其特征在于,包括链式循环运行的载板(230),以及依次设置的用于硅片的机械手上料台(100)、用于硅片正反面镀膜的本征非晶硅镀膜体系(110)、用于硅片的水平移载台一(120)、N层非晶硅镀膜体系(130)、用于硅片的翻转移载台(140)、P层非晶硅镀膜体系(150)、用于硅片的水平移载台二(160)、TCO镀膜体系(170)及用于硅片的机械手下料台(180);所述载板(230)包括用于本征非晶硅镀膜体系(110)的载板、用于N层非晶硅镀膜体系(130)的载板、用于P层非晶硅镀膜体系(150)的载板以及用于TCO镀膜体系(170)的载板;
所述机械手上料台(100)与水平移载台一(120)之间设置有载板回传循环系统一(190),所述载板回传循环系统一(190)位于所述本征非晶硅镀膜体系(110)的下方或侧边;
所述水平移载台一(120)与翻转移载台(140)之间设置有载板回传循环系统二(200),所述载板回传循环系统二(200)位于所述N层非晶硅镀膜体系(130)的下方或侧边;
所述翻转移载台(140)与水平移载台二(160)之间设置有载板回传循环系统三(210),所述载板回传循环系统三(210)位于所述P层非晶硅镀膜体系(150)的下方或侧边;
所述水平移载台二(160)与机械手下料台(180)之间设置有载板回传循环系统四(220),所述载板回传循环系统四(220)位于所述TCO镀膜体系(170)的下方或侧边。
2.一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备,其特征在于,包括链式循环运行的载板(230),以及依次设置的用于硅片的机械手上料台(100)、用于硅片正反面镀膜的本征非晶硅镀膜体系(110)、用于硅片的水平移载台一(120)、PN层非晶硅镀膜体系(250)、用于硅片的水平移载台二(160)、TCO镀膜体系(170)及用于硅片的机械手下料台(180);所述载板(230)包括用于本征非晶硅镀膜体系(110)的载板、用于PN层非晶硅镀膜体系(250)的载板以及用于TCO镀膜体系(170)的载板;
所述PN层非晶硅镀膜体系(250)包括依次设置的N层非晶硅镀膜腔及P层非晶硅镀膜腔,所述N层非晶硅镀膜腔和P层非晶硅镀膜腔之间设置有过渡腔用于隔离;
所述机械手上料台(100)与水平移载台一(120)之间设置有载板回传循环系统一(190),所述载板回传循环系统一(190)位于所述本征非晶硅镀膜体系(110)的下方或侧边;
所述水平移载台一(120)与水平移载台二(160)之间设置有载板回传循环系统二(200),所述载板回传循环系统二(200)位于所述PN层非晶硅镀膜体系(250)的下方或侧边;
所述水平移载台二(160)与机械手下料台(180)之间设置有载板回传循环系统三(210),所述载板回传循环系统三(210)位于所述TCO镀膜体系(170)的下方或侧边。
3.根据权利要求1或2所述的一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备,其特征在于,用于本征非晶硅镀膜的载板为运行方向承载4排硅片且长度方向单排承载不少于10片硅片的载板;用于N层非晶硅镀膜与P层非晶硅镀膜的载板为运行方向承载4排硅片且长度方向单排承载不少于10片硅片的载板;用于正反面TCO膜镀膜的载板为运行方向承载4排硅片且长度方向单排承载不少于10片硅片的载板。
4.根据权利要求3所述的一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备,其特征在于,用于N层非晶硅镀膜与P层非晶硅镀膜的载板中间镂空且边缘设置挡边,使硅片坐落在所述挡边上承载,且硅片与所述挡边的重叠宽度≥0.5mm。
5.根据权利要求1或2所述的一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备,其特征在于,所述移载台一包括上料区一和下料区一,所述上料区一对接本征非晶硅镀膜端,所述下料区一对接N层非晶硅镀膜端;所述水平移载台二(160)包括上料区二和下料区二,所述上料区二对接P层非晶硅镀膜端,所述下料区二对接TCO镀膜端。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的