[发明专利]显示面板及显示面板的制作方法在审
申请号: | 201910862817.2 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN110690229A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 罗成志 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钝化保护层 第一电极 显示面板 光线透过率 无机介质材料 第一保护层 第二电极 阵列基板 平坦层 硅基 薄膜晶体管层 影响显示面板 衬底基板 沉积 塌陷 增设 支撑 制作 | ||
本揭示提供一种显示面板及显示面板的制作方法,所述显示面板包括阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板、薄膜晶体管层、平坦层、第一保护层、第一电极层、钝化保护层以及第二电极层,所述第二电极层设置于所述钝化保护层远离所述第一电极层的一侧上,通过将钝化保护层的材质设置为硅基无机介质材料,用于提高钝化保护层的光线透过率,同时为了防止在沉积形成所述钝化保护层时,第一电极层发生塌陷,在所述平坦层和所述第一电极层之间增设材质为硅基无机介质材料的第一保护层,在不影响显示面板光线透过率的情况下,用于支撑所述第一电极层,提升所述显示面板的光线透过率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示面板的制作方法。
背景技术
近年来,在薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay,TFT-LCD)技术中正在推进用于节省电力化、高清晰化及提高色再现性的项目开发,其中提高穿透性能提升TFT-LCD的亮度、减少电力损耗,是世界各家面板厂都在攻克的难关。
TFT-LCD面板的穿透性是指背光源透过TFT-LCD面板前后的光强之比,通常情况下TFT-LCD的透光率只有3%~10%,超过90%的光是无法得到利用的。对于TFT-LCD的阵列基板来说,除开金属走线外,对穿透率影响较大的还有SiOx,SiNx等材料构成的多层膜结构,每层膜的折射率和消光系数都会对多层膜的整体穿透率产生影响。因此,可以通过调节每层膜的折射率、消光系数、膜层结构等参数来提高多层膜的穿透率。
综上所述,现有显示面板存在膜层透光率较低的问题。故,有必要提供一种显示面板及显示面板的制作方法来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制作方法,用于解决现有显示面板膜层透光率较低的问题。
本揭示实施例提供一种显示面板,包括阵列基板,所述阵列基板包括:
衬底基板;
薄膜晶体管层,包括多个阵列排布的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于所述衬底基板上;
平坦层,所述平坦层设置于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧上;
第一保护层,所述第一保护层设置于所述平坦层远离所述薄膜晶体管的一侧上;
第一电极层,所述第一电极层设置于所述第一保护层远离所述平坦层的一侧上;
钝化保护层,所述钝化保护层设置于所述第一电极层远离所述第一保护层的一侧上,并覆盖所述第一电极层和所述第一保护层;以及
第二电极层,所述第二电极层设置于所述钝化保护层远离所述第一电极层的一侧上;
其中,所述第一保护层和所述钝化保护层的材质均为硅基无机介质材料。
根据本揭示一实施例,所述薄膜晶体管包括源漏电极和间绝缘层,所述第二电极层与所述源漏电极之间设有第一连通孔,所述第二电极层通过所述第一连通孔与所述源漏电极相连接。
根据本揭示一实施例,所述阵列基板还包括触控电极,所述触控电极设置于所述间绝缘层上,所述第二电极层与所述触控电极之间设有第二连通孔,所述触控电极与所述第二电极层通过所述第二连通孔桥接,所述第二电极层与所述第一电极层之间设有第三连通孔,所述第二电极层与所述第一电极层通过所述第三连通孔桥接。
根据本揭示一实施例,所述阵列基板还包括触控电极,所述触控电极设置于所述间绝缘层上,所述第一电极层与所述触控电极之间设有第四连通孔,所述第一电极层与所述触控电极通过所述第四连通孔相连接。
根据本揭示一实施例,所述第一电极层和所述第二电极层的材料均为氧化铟锡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的