[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201910863382.3 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN110854161B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 唐芮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
本发明公开了一种显示面板,具有一显示区和一外围区,所述显示面板包括:一基板;一基板;设置于所述基板上的至少一挡墙,所述挡墙位于所述外围区内;设置于所述基板上的一阳极,在所述外围区内,在所述阳极上设置多个开口以暴露所述挡墙,在所述显示区朝向所述外围区方向上,所述开口的尺寸大于所述挡墙的尺寸。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
在平板显示器行业,薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)由于其成熟的工艺以及稳定的大批量生产,一直占据着主流市场。相比于LCD,有机发光二极管(OLED)具有自发光、低功耗,可实现柔性显示等优点,被认为是新一代的显示技术,具有广阔的应用前景。
然而OLED器件对水氧特别敏感,金属电极及有机发光材料遇到水氧后极易老化或者发生电化学腐蚀,为了防止器件受到破坏,需要在金属电极以及发光材料上进行薄膜封装以对其进行保护。
Samsung在US9419247上公开了一种如图1a和图1b所示的封装结构,其中包括TFT基板100,显示区域200,无机层310、330,有机层320,为限制有机层320的流动,此实施例在外围区制作了一个或多个挡墙400(Dam),阳极311在Dam区进行整面沉积成膜,与VSS讯号线搭接。然而该实施例在进行高温高湿条件下的性耐性测试时,由于Dam台阶处的膜层致密度和应力等发生变化,很容易导致阳极311在Dam台阶处发生剥离(peeling)现象,或者阳极311与其他界面层发生剥离现象。
Samsung在US9818807中给出了另一种Dam的实施例,如图2a和图2b 所示,图2a和图2b是现有技术中显示面板的一种挡墙;在外围区设置有三个挡墙Dam(D1、D2和D3),且阳极710在外围区的Dam附近也是整面成膜,在Dam台阶处同样存在膜层剥离风险,且Dam数量增多,Dam台阶增高,阳极剥离的风险会显著变大。
图3a是现有技术中挡墙的示意图,图3b是现有技术中阳极在挡墙附近的横截面示意图,现有技术中,显示面板具有一显示区10以及围绕所述显示区10设置的外围区20,在所述外围区20内,所述显示面板包括依次层叠设置的一基板1、挡墙3、一阳极4、薄膜封装层5;在所述外围区20内,所述基板1包括层叠设置的衬底基板11、栅极绝缘层12、层间介质层13及源漏极层2,所述源漏极层2为金属层;所述挡墙3设置于所述源漏极层2背离所述基板1的一侧,所述挡墙3包括第一挡墙31和第二挡墙32,所述第一挡墙 31位于所述显示区10与所述第二挡墙32之间,所述第一挡墙31及所述第二挡墙32之间具有一间隔区域33,所述挡墙3包括层叠设置的第一无机层34、第二无机层35;所述薄膜封装层5包括层叠设置的至少一第一无机封装层51、第二有机封装层52及第二无机封装层53,所述第一无机封装层51覆盖所述阳极4;所述阳极4整面覆盖所述挡墙3,耐性测试时所述阳极剥离风险较高。
因此,亟需提供一种显示面板,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种显示面板,通过在阳极上设置开口以暴露挡墙,所述开口的尺寸大于所述挡墙的尺寸,使薄膜封装层的第一无机封装层在所述开口处与所述挡墙的第一无机层及第二无机层接触,使粘结力远大于所述第一无机封装层与所述阳极之间的粘结力,能够有效地防止所述阳极在所述挡墙附近尤其是在爬坡处的剥离风险,可进一步抑制所述挡墙的局部剥离现象向显示区延伸,从而提高了OLED器件的高可靠性封装效果。
为了实现上述目的,本发明提供了一种显示面板,具有一显示区以及围绕所述显示区设置的外围区,所述显示面板包括:
一基板;
设置于所述基板上的至少一挡墙,所述挡墙位于所述外围区内;
设置于所述基板上的一阳极,在所述外围区内,在所述阳极上设置至少一开口以暴露所述挡墙,在所述显示区朝向所述外围区方向上,所述开口的尺寸大于所述挡墙的尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的