[发明专利]图案形成方法

权利要求书

1.一种图案形成方法，其特征在于，其包括以下工序：

(1)在基板上形成有机下层膜，在所述有机下层膜上形成含硅中间膜，进一步在所述含硅中间膜上形成上层抗蚀剂膜的工序；

(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；

(3)将形成有所述上层抗蚀剂图案的所述上层抗蚀剂膜作为掩模，通过干法蚀刻在所述含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步，将转印有所述上层抗蚀剂图案的所述含硅中间膜作为掩模，通过干法蚀刻在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；

(4)以覆盖所述有机下层膜图案的方式，通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；

(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及

(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成图案节距为所述上层抗蚀剂图案的1/2的无机硅膜图案的工序。

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，所述无机硅膜由多晶硅、非晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或这些物质的复合材料形成。

3.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(1)中，在所述上层抗蚀剂膜上进一步形成防水性涂布膜。

4.根据权利要求2所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(1)中，在所述上层抗蚀剂膜上进一步形成防水性涂布膜。

5.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(3)中，所述有机下层膜图案为在所述有机下层膜上残留有所述含硅中间膜的部分。

6.根据权利要求2所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(3)中，所述有机下层膜图案为在所述有机下层膜上残留有所述含硅中间膜的部分。

7.根据权利要求3所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(3)中，所述有机下层膜图案为在所述有机下层膜上残留有所述含硅中间膜的部分。

8.根据权利要求4所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(3)中，所述有机下层膜图案为在所述有机下层膜上残留有所述含硅中间膜的部分。

9.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(3)中，所述有机下层膜图案为未在所述有机下层膜上残留所述含硅中间膜的部分。

10.根据权利要求2所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(3)中，所述有机下层膜图案为未在所述有机下层膜上残留所述含硅中间膜的部分。

11.根据权利要求3所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(3)中，所述有机下层膜图案为未在所述有机下层膜上残留所述含硅中间膜的部分。

12.根据权利要求4所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(3)中，所述有机下层膜图案为未在所述有机下层膜上残留所述含硅中间膜的部分。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的图案形成方法，其特征在于，在所述工序(6)中，剥离液含有过氧化氢、硫酸中的任意一种或两种。

14.根据权利要求1～12中任一项所述的图案形成方法，其特征在于，所述含硅中间膜由硅中间膜形成用组合物形成，所述硅中间膜形成用组合物含有具有交联性有机结构的化合物。

15.根据权利要求14所述的图案形成方法，其特征在于，所述交联性有机结构为选自环氧乙烷环、氧杂环丁烷环、羟基或羧基中的一种以上。