[发明专利]基于高电子迁移率晶体管的太赫兹波放大器有效
| 申请号： | 201910864804.9 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110600972B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 潘依林;张平;宫玉彬;王战亮;陈亚鸣;师凝洁 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平;陈靓靓 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电子 迁移率 晶体管 赫兹 放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于高电子迁移率晶体管的太赫兹波放大器，包括用于发射电子注的电子发射极、用于收集电子注的电子收集极和用于形成电磁波辐射通道的两个高电子迁移率晶体管，电子发射极和电子接收极处于正对位置，位于电磁波辐射通道的两端，其特征在于，每个高电子迁移率晶体管的栅极为周期金属栅极结构；在高电子迁移率晶体管栅级和源极之间加直流电压偏置Ugs，在源极和漏极之间加直流电流偏置Ids，高电子迁移率晶体管的异质结界面上的二维电子气通道中，产生太赫兹频率下等离子体波振荡；调节电子发射极的电压，使电子漂移速度与太赫兹等离子体波的波速同步，根据注波互作用原理，电子将所携带的能量交给太赫兹波从而实现太赫兹波信号的放大。
2.根据权利要求1所述的太赫兹波放大器，其特征在于，所述周期金属栅极结构由若干等长的金属矩形栅平行放置得到，采用两根金属导线分别连接金属矩形光栅的两端，使栅极在加电压偏置时处于同一电位。
3.根据权利要求1所述的太赫兹波放大器，其特征在于，所述周期金属栅极结构中金属栅极周期是栅极长度的4倍。
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