[发明专利]一种钨硅靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201910864942.7 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110714185A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李保强;祁美贵;刘文迪;李斌玲;郑艾龙;黄志民 | 申请（专利权）人： | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 连耀忠;杨锴 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅 钨硅 制备 破碎 靶材 硅粉 钨粉 球磨机 充分混合 高纯度硅 生产效率 工艺流程 硅材料 混合料 钨材料 保证 粉体 生产成本 污染 | ||
1.一种钨硅靶材的制备方法，其特征在于，步骤如下：
1)按多晶硅粒质量分数23.41-37.93wt.％的比例称取钨粉和多晶硅粒；钨粉的费氏平均粒度为1-10μm、纯度≥5N，多晶硅粒的粒度为1-10mm、纯度≥6N；
2)将步骤1)的钨粉和多晶硅粒置于球磨罐中，以50-70rpm的转速、24-48h的球磨时间，对多晶硅粒进行破碎，同时使两种物料混合均匀；
3)转速提高至200-300rpm，以30-100h的球磨时间进行球磨，得到钨硅粉体；
4)将步骤3)得到的钨硅粉体经冷压、真空热压烧结、机械加工，得到钨硅靶材。
2.根据权利要求1所述的钨硅靶材的制备方法，其特征在于，步骤4)得到的钨硅靶材的纯度≥4N5，相对密度≥99％。
3.根据权利要求1或2所述的钨硅靶材的制备方法，其特征在于，步骤1)中，按多晶硅粒质量分数28.43-29.96wt.％的比例称取钨粉和多晶硅粒。
4.根据权利要求1或2所述的钨硅靶材的制备方法，其特征在于，球磨时所用的磨球与钨粉或多晶硅粒为相同材质，或者，为其它硬质合金球。
5.根据权利要求1或2所述的钨硅靶材的制备方法，其特征在于，球磨时的球料比为10:1-40:1。
6.根据权利要求1或2所述的钨硅靶材的制备方法，其特征在于，步骤2)、步骤3)中，球磨罐中填充高纯惰性气体。
7.根据权利要求5所述的钨硅靶材的制备方法，其特征在于，所述的高纯惰性气体为高纯氩气或高纯氦气。
8.根据权利要求1或2所述的钨硅靶材的制备方法，其特征在于，步骤4)中，真空热压烧结的温度为1200-1400℃，真空度为10-1-1Pa，真空热压压力为20-50MPa。
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