[发明专利]二维层的转移

权利要求书

1.一种用于使膜与基材层离的方法，该方法包括：

- 提供第一材料的基材，其与第二材料的膜直接接触；

- 使用粘合剂将膜粘合至载体；

- 将超临界流体引入膜和基材之间，其中，超临界流体的临界温度低于粘合剂的玻璃化转变温度；

- 在引入超临界流体后，从膜上机械剥离基材。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料和所述第二材料是外延生长匹配的。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所提供的基材的第一材料是蓝宝石或氮化铝。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二材料是金属二硫属化物。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料是铂或铜，并且所述第二材料是石墨烯。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二材料是六方氮化硼。

7.如权利要求1所述的方法，其中，超临界流体包括非极性分子。

8.权利要求7所述的方法，其中，所述超临界流体包括CO₂。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述超临界流体包括极性分子。

10.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

- 在从膜上剥离基材之后，将膜转移至目标物；

- 去除载体。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述目标物使用CMOS工艺流程来制造。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在生产线前端处的目标物加工步骤之后，将膜转移到目标物上。

13.如权利要求11所述的方法，其中，在生产线后端处的目标物加工步骤之后，将膜转移到目标物上。

14.如权利要求11至13中任一项所述的方法，其中，在使膜转移之前，在目标物上施加钝化层。

15.如权利要求1所述的方法，其中，将激光剥离层设置在粘合剂和载体之间。