[发明专利]影像传感器以及提高影像传感器信噪比的方法

权利要求书

1.一种影像传感器，其特征在于，包括：

一晶体管；

至少一存储电容，连接所述晶体管；

一电压提供器，电连接所述晶体管，且用于提供一额外电压给所述至少一存储电容；

其中，所述额外电压会根据具不同亮度的影像而改变。

2.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述影像传感器包括双极性接面型晶体管或金属氧化物半导体场校晶体管。

3.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，还包含多个第一开关，所述多个第一开关开启或关闭以对所述至少一存储电容充电或放电。

4.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述电压提供器提供额外的电压给所述至少一存储电容以增加所述至少一存储电容的存储电容，进而提高一信噪比。

5.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述影像传感器的芯片半导体制程是小于30微米。

6.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述至少一存储电容的尺寸小于92μm²，且所述至少一存储电容的电容值小于120皮法。

7.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，还包含一第二开关，其并联连接所述电压提供器。

8.根据权利要求7所述的影像传感器，其特征在于，当所述第二开关为断开状态，所述影像传感器是操作在一般模式，而当所述第二开关为关闭状态，所述影像传感器是操作在升压模式。

9.一种提高影像传感器信噪比的方法，其特征在于，所述影像传感器包括一晶体管、多个第一开关、至少一存储电容、一电压提供器与一第二开关，所述晶体管电连接所述多个第一开关、所述至少一存储电容与所述电压提供器，所述电压提供器并联连接所述第二开关，所述方法包括：

安装所述电压提供器于所述影像传感器中；以及

当所述至少一存储电容的电容值小于120皮法，通过所述电压提供器提供一额外电压给所述至少一存储电容；

其中，所述额外电压的电压值是根据影像的不同亮度而改变。

10.根据权利要求9所述的提高影像传感器信噪比的方法，其特征在于，还包含当所述影像传感器操作在一般模式下，断开所述第二开关，或当所述影像传感器操作在升压模式下，关闭所述第二开关。

11.根据权利要求9所述的提高影像传感器信噪比的方法，其特征在于，在通过所述电压提供器提供所述额外电压给所述至少一存储电容的步骤中，是用于提高所述影像传感器的所述信噪比。

12.根据权利要求9所述的提高影像传感器信噪比的方法，其特征在于，在通过所述电压提供器提供一额外电压给所述多个存储电容的步骤中，是用于维持所述影像传感器的一填充因子。

13.根据权利要求9所述的提高影像传感器信噪比的方法，其特征在于，所述影像传感器包括双极性接面型晶体管或金属氧化物半导体场校晶体。