[发明专利]一种抗简单功耗分析攻击的高斯采样电路在审

专利信息
申请号: 201910866396.0 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN110717201A 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 刘冬生;张聪;陈宇阳;陆家昊;金子睿;罗香华;卢楷文 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06F21/75 分类号: G06F21/75
代理公司: 42201 华中科技大学专利中心 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 功耗信息 随机数 随机数产生模块 比较模块 采样结果 控制模块 输出模块 函数表 掩盖 二分搜索算法 简单功耗分析 移位寄存器 采样电路 采样过程 采样输出 高斯分布 控制电路 状态转移 单口RAM 攻击 高斯 功耗 取模 使能 电路 搜索 抵抗 分析
【权利要求书】:

1.一种抗简单功耗分析攻击的高斯采样电路,其特征在于,包括控制模块、随机数产生模块、二分比较模块、第一单口RAM、采样结果输出模块以及功耗信息掩盖模块;所述随机数产生模块的输出端分别与所述二分比较模块的输入端、所述功耗信息掩盖模块的输入端连接,所述第一单口RAM的输出端与所述二分比较模块的另一个输入端连接,所述采样结果输出模块的输入端与所述二分比较模块的输出端连接;

所述控制模块用于控制电路的状态转移和使能;所述随机数产生模块通过移位寄存器产生均匀分布的随机数;所述二分比较模块采用二分搜索定位随机数在分布累积函数表中的地址,得到该随机数概率值下的采样结果;所述第一单口RAM用于存放分布累积函数表;所述采样结果输出模块用于对所述二分比较模块的采样结果进行取模运算产生输出;所述功耗信息掩盖模块包括一个存放伪分布累积函数表的第二单口RAM、位移寄存器和第二比较器,所述存放伪分布累积函数表的第二单口RAM的输出端与所述第二比较器连接,用于提供第二比较数据源,产生随机功耗信息,实现对简单功耗攻击的抵抗作用。

2.根据权利要求1所述的高斯采样电路,其特征在于,所述二分比较模块包括地址指针寄存器和第一比较器,所述第一比较器的输出端与所述地址指针寄存器的输入端连接,用于将存放分布累积函数表的第一单口RAM读取的数据与产生的随机数进行比较,根据第一比较器输出逐次修改地址指针寄存器。

3.根据权利要求2所述的高斯采样电路,其特征在于,所述分布累积函数表的分布累积函数为高斯分布函数,分布累积函数表的地址为高斯采样值,每个地址存放的数据为从初始地址开始到该地址的概率累积。

4.根据权利要求1所述的高斯采样电路,其特征在于,所述功耗信息掩盖模块采用二分搜索定位随机数在伪分布累积函数表中的地址,得到比较结果。

5.根据权利要求1或4所述的高斯采样电路,其特征在于,所述二分搜索通过多次设置寄存器指针,逐次缩小采样范围,最终定位到采样结果。

6.根据权利要求1所述的高斯采样电路,其特征在于,所述第二单口RAM存放的伪分布累积函数表与第一单口RAM存放的分布累积函数表值相同,存放的顺序不同。

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